晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件,包括各種半導體材料制成的二極管(二端子)、三極管、場效應管、晶閘管(后三者均為三端子)等。晶體管有時多指晶體三極管。三端子晶體管主要分為兩大類:雙極性晶體管(BJT)和場效應晶體管(FET,單極性)。
晶體管泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件,包括各種半導體材料制成的二極管(二端子)、三極管、場效應管、晶閘管(后三者均為三端子)等。晶體管有時多指晶體三極管。三端子晶體管主要分為兩大類:雙極性晶體管(BJT)和場效應晶體管(FET,單極性)。晶體管有三個極(端子);雙極性晶體管的三個極(端子),通用晶體管分別是由N型、P型半導體組成的發射極(Emitter)、基極(Base) 和集電極(Collector);場效應晶體管的三個極(端子),分別是源極(Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain)。
據中研研究院《2020-2025年通用晶體管行業市場深度分析及發展策略研究報告》
2020通用晶體管行業市場前景及現狀分析
隨著晶體管的累積生產數量已經接近天量,橫軸上繼續向右移動的速度會迅速下降,而且隨著摩爾定律失效后,價格也不會再像過去那樣迅速下降了。或者說,學習帶來的效應會明顯減弱。在某些時候,貨幣的通貨膨脹可能會大于制造成本的降低幅度,從而使得以絕對美元計價的晶體管單位價格會隨著時間增加。不過,學習曲線將始終是預測未來的有用指南。截止到現在,2019 年,單個晶體管的收入每年都會下降約 32%。
從 2017 年起,單個晶體管的價格開始以每年 32%的下降速度遞減。32%這個數字適用于 2017 年生產的所有半導體元件。這是一個綜合數據,涵蓋了包括存儲器、邏輯器件、模擬芯片等各種不同類型的半導體元件。NAND FLAH 非易失性存儲器中的晶體管生產數量要比其它種類多得多。存儲器中每個晶體管的成本和數量遠遠超過了非存儲器器件。
自從 1954 年以來,單個晶體管的收入(可能單個晶體管的成本也遵循這條曲線,如果我們有來自半導體制造商的數據的話)遵循一條高度可預測的學習曲線。在摩爾定律問世之前,這條學習曲線指引著半導體行業發展的方向。
在鍺和硅分立晶體管時代,TI 這樣的公司可以使用學習曲線指導其企業經營,比如,基于所生產的前 1000 片器件的單片成本預測生產 10 萬片器件后的單片成本。那么,他們可以根據這種預測,對最初上市的產品進行初步定價,即使這種定價實際上是虧本的,但是這種定價可以幫助他們獲得領先的市場份額,從而在未來的大規模銷售中實現更大的盈利,收獲更大的市場影響力。需要說明的是,德州儀器并不是學習曲線的發明者,它的問世時間要回溯至晶體管發明前的將近 100 年 -1852 年。
英特爾公司2011年5月4日宣布,已開發出可投入大規模生產的三維結構晶體管,采用新型晶體管的芯片在能耗降低的同時,通用晶體管其性能有望得到大幅提升。
英特爾當天還展示了代號為“常春藤橋”的22納米微處理器,并計劃今年年底前完成批量生產該微處理器的準備工作。英特爾說,它將是首款采用新型三維晶體管的量產芯片。 與目前在電腦等產品中得到廣泛應用的二維晶體管相比,三維晶體管在技術上有突破之處。英特爾介紹說,其研究人員在2002年發明了“三柵”結構的三維晶體管。經過隨后多年的研發,這一新型晶體管終于進入可大規模生產階段。
該公司解釋說,與摩天大樓通過向空中拓展而優化利用城市有限空間類似,三維晶體管由于比二維晶體管多出一個垂直結構,使得芯片中的晶體管能被更緊密地封裝。 英特爾提供的數據顯示,與該公司的32納米芯片中采用的二維晶體管相比,三維晶體管在低電壓下性能可提高37%,完成同樣工作的能耗可降低一半。英特爾的專家說,這些優點意味著新型晶體管非常適合用于小型手持裝置,有望進一步提高現有裝置的智能化程度,并使設計和開發其他全新裝置成為可能。
中研普華通過對通用晶體管行業長期跟蹤監測,分析通用晶體管行業需求、供給、經營特性、獲取能力、產業鏈和價值鏈等多方面的內容,整合行業、市場、企業、用戶等多層面數據和信息資源,為客戶提供深度的通用晶體管行業研究報告,以專業的研究方法幫助客戶深入的了解通用晶體管行業,發現投資價值和投資機會,規避經營風險,提高管理和運營能力。
通用晶體管行業報告是從事通用晶體管行業投資之前,對通用晶體管行業相關各種因素進行具體調查、研究、分析,評估項目可行性、效果效益程度,提出建設性意見建議對策等,為通用晶體管行業投資決策者和主管機關審批的研究性報告。以闡述對通用晶體管行業的理論認識為主要內容,重在研究通用晶體管行業本質及規律性認識的研究。通用晶體管行業研究報告持續提供高價值服務,是企業了解各行業當前最新發展動向、把握市場機會、做出正確投資和明確企業發展方向不可多得的精品資料。
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