華為和中科院聯手攻克光刻機技術 2020中國離子注入行業市場發展前景預測

• 2020年9月28日 HuangJiang來源：互聯網 267 9
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在電子工業中，離子注入成為了微電子工藝中的一種重要的摻雜技術，也是控制MOSFET閾值電壓的一個重要手段。因此在當代制造大規模集成電路中，可以說是一種必不可少的手段。

離子注入是指當真空中有一束離子束射向一塊固體材料時，離子束把固體材料的原子或分子撞出固體材料表面，這個現象叫做濺射;而當離子束射到固體材料時，從固體材料表面彈了回來，或者穿出固體材料而去，這些現象叫做散射;另外有一種現象是，離子束射到固體材料以后，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來，并最終停留在固體材料中的這一現象叫作離子注入。

在電子工業中，離子注入成為了微電子工藝中的一種重要的摻雜技術，也是控制MOSFET閾值電壓的一個重要手段。因此在當代制造大規模集成電路中，可以說是一種必不可少的手段。

根據中研普華研究報告《2020-2025年中國離子注入行業市場發展前景預測與投資戰略規劃研究報告》分析：

離子注入的方法就是在真空中、低溫下，把雜質離子加速(對Si，電壓≥105 V)，獲得很大動能的雜質離子即可以直接進入半導體中;同時也會在半導體中產生一些晶格缺陷，因此在離子注入后需用低溫進行退火或激光退火來消除這些缺陷。離子注入的雜質濃度分布一般呈現為高斯分布，并且濃度最高處不是在表面，而是在表面以內的一定深度處。

離子注入的優點是能精確控制雜質的總劑量、深度分布和面均勻性，而且是低溫工藝(可防止原來雜質的再擴散等)，同時可實現自對準技術(以減小電容效應)。

在工藝流程中，光刻的下一道工序就是刻蝕或離子注入。在做離子注入時，有光刻膠保護的地方，離子束無法穿透光刻膠;在沒有光刻膠的地方離子束才能被注入到襯底中實現摻雜。因此，用于離子注入工藝的光刻膠必須要能有效地阻擋離子束。

華為+中科院聯手攻克光刻機技術

受芯片斷供影響，華為近期一直在尋找突破口。國外企業進口或是代加工的路基本已經被堵死了，目前唯一的出路便是聯合國內的芯片代加工廠自主研發。

中科院院長將攜手中國科研隊伍宣布入局光刻機及關鍵材料等領域，并立下軍令狀接下來聚焦關鍵核心技術，有效解決光刻機、高端芯片等方面“卡脖子”的問題。

近日國內芯片企業中芯國際的發展也迎來好消息，中芯國際的曝光：“中芯國際稱8nm芯片將于年底試產，并且可以繞開EUV光刻機，根據透露，中芯國際的第二代N+1工藝已經進入到客戶導入階段，并且將于年底批量試產了。”

由于臺積電、三星、聯發科等在使用到了美國技術后，都將無法在供應華為芯片，讓我們意識到了，在芯片產業，就算可以設計出全球最為先進的高端芯片，但也要制造出來，否則一切都等于零。

而芯片的制造就需要很多重要的環節，其中包括光刻機，目前全球最先進的光刻機就是DUV(極紫外光)光刻技術，而ASML是全球僅有一家擁有這種設備荷蘭公司。也就是說，全球高端芯片的生產都離不開ASML的先進光刻機。

我國5nm芯片技術迎來了新突破，可能會繞開EUV光刻機技術量產芯片，或將打破ASML壟斷的限制。

然而，在中科院宣布入局光刻機核心技術后，很多廠商都坐不住了，其中ASML和德國的半導體巨頭英飛凌迅速做出表態。

ASML負責人表示，作為全球半導體行業的合作伙伴，ASML將加快在中國市場的布局。ASML在未來將持續投入、擴大布局、培養人才、并與之合作伙伴聯手，同中國半導體產業實現共同發展。

德國的半導體巨頭英飛凌迅負責人表示，中市場是未來發展的重點。而且英飛凌CEO還強調，該企業核心知識產權都是在德國、澳大利亞等國家地區注冊的，這確保了該企業對相應技術100%的可控。也就是說，大部分產品在華銷售將不會受限。

據資料顯示，早在2018年，英飛凌就已經成為了全球前十大半導體企業之一。而且該企業在全球功率半導體市場的份額接近20%，位列世界第一，在安全芯片市場的份額也拿下了全球第一。

在國外芯片企業的眼中，我國市場無疑被認定為“香餑餑”。在美日韓等多家芯片企業暫停供應之際，而德國芯片巨頭企業英飛凌趁機想拿下更多的市場份額。更為重要的是，英飛凌對芯片技術的可控100%，繞過了美國技術，這無疑對我國企業來說尤為關鍵。

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