化合物半導體行業應用前景及市場發展分析

• 吳澳燕 2024年3月30日 來源：互聯網 1435 95
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化合物半導體主要由兩種或兩種以上元素以確定的原子配比形成，具有確定的禁帶寬度和能帶結構等半導體性質。它通常指晶態無機化合物半導體，如III-V族、II-VI族化合物半導體，及其固溶體、非晶態無機化合物(如玻璃半導體)、有機化合物(如有機半導體)和氧化物半導體等

化合物半導體以其優異性能成為光電子、射頻通信和電力電子等產業自主創新發展和轉型升級的核心材料，是國家2030規劃和“十四五”國家研發計劃確定的發展領域，被視為我國半導體行業超車的機會。

化合物半導體主要由兩種或兩種以上元素以確定的原子配比形成，具有確定的禁帶寬度和能帶結構等半導體性質。它通常指晶態無機化合物半導體，如III-V族、II-VI族化合物半導體，及其固溶體、非晶態無機化合物(如玻璃半導體)、有機化合物(如有機半導體)和氧化物半導體等。

在應用領域方面，化合物半導體在光電器件中得到了廣泛應用，如LED、LD、太陽能電池等。同時，隨著萬物聯網、5G時代的到來，化合物半導體如砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等，在高頻功率器件、光通信、手機的無線通信系統，以及3D Sensing的VSECL泛光源、自動駕駛的毫米波雷達等新應用場景中也展現出廣闊的應用前景。

根據中研普華產業研究院發布的《2024-2029年化合物半導體行業市場深度分析及發展規劃咨詢綜合研究報告》顯示：

2023年，受終端市場景氣度疲軟、經濟發展放緩等宏觀因素的影響，全球乃至國內半導體市場面臨較大壓力，根據世界半導體貿易統計組織(WSTS)的數據，全球半導體市場規模預計較去年同期下降9.4%至5,201億美金。

近年來，以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等材料為代表的化合物半導體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優異的性能而飽受關注。其中碳化硅功率器件受下游新能源汽車等行業需求拉動，市場規模增長快速。

據不完全統計，2022年美國、英國、意大利、新加坡、日本、法國等國家新布局21個第三代半導體公共研發項目，金額超12.6億美元。涉及材料、外延、器件、系統等各環節，突出8英寸碳化硅襯底和晶圓制造、車用800V電壓平臺的碳化硅功率器件及電控系統等。

根據IHS數據，受新能源汽車行業龐大的需求驅動，以及光伏風電和充電樁等領域對于效率和功耗要求提升的影響，預計到2027年碳化硅功率器件的市場規模將超過100億美元，2018-2027年的復合增速接近40%。

化合物半導體行業應用前景及市場發展分析

半導體是信息產業和國家競爭的基石。以第三代半導體為代表的化合物半導體材料快速崛起，未來10年將對國際半導體產業格局的重塑產生至關重要的影響。特別是光電子產業正從萌芽走向成長期，將成為整個信息產業中一個新的經濟增長極。

根據WSTS預測，2024年全球各地區半導體市場都將有所回暖，特別是美洲和亞太地區，將實現兩位數以上的增長。預計2024年全球半導體市場將實現強勁復蘇，預測增長13.1%至5,884億美元。

未來在人工智能、數據安全、6G、專網通信、車聯網等領域市場需求增長有望進一步刺激化合物半導體材料的市場規模增長。

化合物半導體產業面臨四大發展機遇

一是全球最大市場已啟動(新型電力系統、高鐵、新能源汽車、5G/6G通信，半導體照明及超越照明、工業電機及消費電子市場等)，應用需求驅動技術創新。

二是20年技術儲備，單項冠軍(黃綠光LED)，國際半導體產業和裝備巨頭還未形成專利、標準和規模的壟斷，與國際先進水平差距不大，有機會實現超越。

三是與集成電路相比，投資門檻不高，對工藝尺寸線寬，設計復雜度，裝備精密制造要求相對低。

四是下游應用企業基于供應鏈安全的考量，國家政策支持和資本市場活躍，國產化替代空間大。

在激烈的市場競爭中，企業及投資者能否做出適時有效的市場決策是制勝的關鍵。報告準確把握行業未被滿足的市場需求和趨勢，有效規避行業投資風險，更有效率地鞏固或者拓展相應的戰略性目標市場，牢牢把握行業競爭的主動權。

更多行業詳情請點擊中研普華產業研究院發布的《2024-2029年化合物半導體行業市場深度分析及發展規劃咨詢綜合研究報告》。

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