2024年中國存儲芯片行業(yè)市場競爭及發(fā)展趨勢預測 存儲產業(yè)鏈供需持續(xù)回暖處于上行周期開端

• 2024年4月22日 來源：中研普華集團、央視財經、中研網 987 62
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從當前產業(yè)鏈調研和媒體報道來看，存儲產業(yè)鏈的回暖趨勢明顯，存儲芯片價格呈現上漲態(tài)勢，尤其是在AI企業(yè)的采購需求推動下，DRAM等存儲芯片的價格漲幅較大。此外，三大存儲原廠通過降低資本開支、減產調節(jié)庫存等手段，正在有效控制市場供應總量，使得海外存儲芯片庫存水

從當前產業(yè)鏈調研和媒體報道來看，存儲產業(yè)鏈的回暖趨勢明顯，存儲芯片價格呈現上漲態(tài)勢，尤其是在AI企業(yè)的采購需求推動下，DRAM等存儲芯片的價格漲幅較大。此外，三大存儲原廠通過降低資本開支、減產調節(jié)庫存等手段，正在有效控制市場供應總量，使得海外存儲芯片庫存水位趨于正常化。

行業(yè)分析師普遍認為，存儲原廠仍有漲價意愿，且本輪存儲價格上行周期可能至少會持續(xù)6-8個季度，因此存儲漲價趨勢或將持續(xù)。這將有助于改善行業(yè)利潤率，提升企業(yè)的盈利能力。

同時，隨著AI、大數據、云計算等技術的快速發(fā)展，對存儲芯片的需求也在不斷增加。尤其是在AI領域，由于需要處理海量數據，對高性能、高容量的存儲芯片需求尤為迫切。因此，AI企業(yè)的采購計劃對存儲芯片市場的影響不容忽視。

然而，需要注意的是，存儲芯片市場的波動性較大，價格受供需關系、技術進步、政策環(huán)境等多種因素影響。因此，雖然當前存儲芯片市場呈現回暖和漲價趨勢，但未來市場走勢仍存在不確定性。企業(yè)和投資者需要密切關注市場動態(tài)，謹慎做出決策。

總的來說，存儲產業(yè)鏈正在經歷一輪回暖和漲價周期，AI企業(yè)的采購需求是推動市場上漲的重要因素之一。同時，行業(yè)利潤率有望得到改善，但市場走勢仍需謹慎觀察。

據中研產業(yè)研究院《2024-2029年中國存儲芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預測報告》分析：

受中美貿易戰(zhàn)等原因影響，我國正在加大力度發(fā)展半導體行業(yè)，國產存儲芯片替代進程正在加速，這將提升存儲芯片產品的本土自給率，我國將會逐漸減少對存儲芯片的進口，國產存儲芯片銷量將日益增長。除此之外，當前我國疫情率先恢復，國內存儲芯片行業(yè)的經濟政策環(huán)境良好，未來，隨著我國政府政策引導和產業(yè)資金扶持，以及本土存儲芯片企業(yè)研發(fā)動力不斷增強，我國存儲芯片出口市場或將擴大，這也將進一步促進我國存儲芯片市場規(guī)模的擴大。

在信息化時代，半導體存儲器作為信息存儲的載體，其穩(wěn)定性與安全性對國家的信息安全有著舉足輕重的意義，因而國家政策大力支持存儲芯片行業(yè)發(fā)展。

2022年全球半導體市場規(guī)模為5740.84億美元，集成電路占比達83%，其中存儲芯片市場規(guī)模為1297.67億美元，占整個半導體行業(yè)的23%。

近六年來我國存儲芯片行業(yè)快速發(fā)展，且在國產芯片的替代和消費電子需求快速增長的背景下，國內存儲芯片市場規(guī)模整體擴大。從2016年到2021年我國存儲芯片市場規(guī)模從1514億元增長至3383億元，平均年復合增長率約為20.57%。

DRAM，全稱動態(tài)隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory)，是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。由于DRAM需要刷新(refresh)來定期保存數據，它只可用作暫時存儲器，即計算機主存或其它需要高速訪問的設備中的臨時數據存儲。

DRAM是最常見的系統(tǒng)內存，人們平常所說的電腦內存主要就是指DRAM。它通常由DRAM晶片組成，而DRAM晶片則鑲嵌在內存條上。DRAM具有較低的單位容量成本，而且很高的密度，因此適用于需要大容量的系統(tǒng)內存。

DRAM的主要特點如下：

動態(tài)性：DRAM存儲的信息并不穩(wěn)定，需要定期刷新(refresh)以維持數據。這是因為DRAM中的電容會隨著時間的推移逐漸放電，導致數據丟失。因此，DRAM需要有一個刷新機制來定期重寫數據。

隨機存取：DRAM允許數據在任何時候從任何地址存取，不需要像順序存取存儲器那樣，必須按照一定的順序進行存取。

高速度：DRAM的存取速度較快，因此常被用作主存或高速緩存。

容量大且成本低：由于制造工藝的改進，DRAM的容量日益增大，成本逐漸降低，使其在大規(guī)模數據存儲和計算中廣泛應用。

電壓敏感：DRAM對電壓的變化非常敏感，因此需要穩(wěn)定的電源供應。

DRAM有幾種不同的類型，包括同步動態(tài)隨機存取存儲器(SDRAM)、雙倍數據速率同步動態(tài)隨機存取存儲器(DDR SDRAM)、四倍數據速率同步動態(tài)隨機存取存儲器(QDR SDRAM)等，它們在速度、功耗和容量等方面有所不同，以適應不同的應用場景。

隨著技術的發(fā)展，DRAM的容量和性能不斷提升，為現代計算機系統(tǒng)提供了強大的內存支持。然而，DRAM也面臨著一些挑戰(zhàn)，如功耗問題、可靠性問題以及與其他存儲技術的競爭等。因此，持續(xù)的研發(fā)和創(chuàng)新對于DRAM技術的未來發(fā)展至關重要。

DRAM行業(yè)市場深度調研及投資分析

DRAM，即動態(tài)隨機存取存儲器，是計算機存儲體系中不可或缺的一部分，尤其在服務器、中高端PC及智能手機等應用中占據重要地位。近年來，隨著云計算、大數據、人工智能等技術的快速發(fā)展，DRAM芯片的需求持續(xù)增長，市場規(guī)模也不斷擴大。

從市場規(guī)模來看，DRAM已經成為存儲市場中出貨量及銷售額最高的產品。據統(tǒng)計，近年來我國DRAM行業(yè)市場規(guī)模持續(xù)保持增長態(tài)勢，增長率也呈現出逐年上升的趨勢。這主要得益于下游應用市場的不斷擴大，尤其是服務器和智能手機市場的快速增長。同時，隨著5G、物聯(lián)網等新興技術的普及，預計未來DRAM市場需求將持續(xù)增長。

從產業(yè)鏈角度來看，DRAM行業(yè)的上游是晶圓制造商以及封裝測試廠商，而下游則涵蓋了智能手機、個人PC、服務器等眾多終端應用行業(yè)。這種產業(yè)鏈結構使得DRAM行業(yè)的發(fā)展受到上游供應和下游需求的雙重影響。上游晶圓制造技術的進步和封裝測試能力的提升，將直接推動DRAM產品性能的提升和成本的降低;而下游應用市場的擴大和需求的增長，則為DRAM行業(yè)的發(fā)展提供了廣闊的空間。

從競爭格局來看，全球DRAM市場呈現出高度集中的態(tài)勢。幾家大型廠商占據了絕大部分市場份額，其中三星、海力士和美光是全球最大的DRAM制造商。這些廠商擁有先進的制造工藝和技術，能夠生產出高性能、低成本的DRAM產品，因此在市場上具有較強的競爭力。然而，隨著國內外廠商的不斷投入和研發(fā)，未來DRAM市場的競爭格局有望發(fā)生變化。

在投資方面，DRAM行業(yè)具有較高的投資價值和潛力。隨著技術的不斷進步和應用市場的擴大，DRAM產品的性能和成本將得到進一步優(yōu)化，從而帶動整個行業(yè)的快速發(fā)展。

此外，國家政策對于半導體產業(yè)的支持力度也在不斷加大，為DRAM行業(yè)的發(fā)展提供了良好的政策環(huán)境。然而，投資者也需要注意到DRAM行業(yè)的技術門檻較高，市場競爭激烈，因此在投資決策時需要充分考慮技術、市場、政策等多方面因素。

綜上所述，DRAM行業(yè)市場具有廣闊的發(fā)展前景和投資潛力。隨著技術的不斷進步和應用市場的擴大，DRAM產品將在更多領域得到應用，市場規(guī)模也將持續(xù)增長。

如果想要了解更多存儲芯片行業(yè)詳情分析，可以點擊查看中研普華研究報告《2024-2029年中國存儲芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預測報告》。

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