全球DRAM廠商市場份額排名 中國DRAM生產廠商發展前景分析

• 2021年11月17日 HuangJiang來源：新浪 847 52
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DRAM指的是動態隨機存取存儲器，速度比NAND Flash更快，但斷電會丟失數據，主要用于存儲短時間使用的程序。第三季度服務器端的需求相對仍有所支撐，帶動多數 DRAM 供應商出貨小幅增長，加上 DRAM 報價走高，推升第三季度 DRAM 總產值仍有 10.2% 的季度成長，2

DRAM一般指動態隨機存取存儲器。動態隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一種半導體存儲器。

目前存儲器主要分NAND Flash和DRAM兩種。其中NAND Flash又被稱為“閃存”，是一種非易失性存儲芯片，斷電不會丟失數據，具備讀寫功能，可以支持多次擦除和重復編程。而DRAM指的是動態隨機存取存儲器，速度比NAND Flash更快，但斷電會丟失數據，主要用于存儲短時間使用的程序。

疫情的到來，給存儲器行業摁下了“加速鍵”。疫情下人們轉向于居家辦公和網上學習等，增加了服務器以及PC需求，存儲器也成為2020年表現最好的領域。Gartner數據稱，2020年全球存儲器收入增加135億美元(相比2019年)，占2020年整個半導體市場收入增長的44%。《白皮書》指出，存儲器約占整個半導體行業產值的27%。

全球DRAM存儲器廠商市場份額排名

11月17日，TrendForce 集邦咨詢發布報告稱，第三季度服務器端的需求相對仍有所支撐，帶動多數 DRAM 供應商出貨小幅增長，加上DRAM報價走高，推升第三季度DRAM總產值仍有 10.2% 的季度成長，達 266 億美元。

韓國半導體行業巨頭——三星電子2021年第三季度在全球動態隨機存取存儲器(DRAM)市場上的份額環比增加0.4個百分點，為44%，穩居世界第一。

從營收表現來看，三星、SK海力士及美光的營收分別上漲11%、8%及12%。市占率方面，三星以44%位居第一;SK海力士在出貨減少的情況下市占率略有縮減，達27.2%，而美光則小幅上升至22.9%;南亞科第三季營收增長約6%，華邦營收相比上季度增長近13%;力積電第三季營收上升約6%，排名全球第六。

DRAM存儲器價格走勢預測

DRAM價格在今年前八個月飆升了41%，從1月份的平均銷售價格(ASP)3.37美元上漲至8月份的4.77美元。9月份DRAM ASP下滑3%至 4.62 美元，仍比年初增長 37%。

PC和服務器制造商在今上半年購買了大量 DRAM，以幫助緩解今年晚些時候潛在的制造和運輸延遲。預計他們將在2021年第四季度減少大量 DRAM 采購，以消耗現有庫存。 PC和服務器DRAM 價格預計將在今年第四季度下滑0-5%。

IC Insights還預計，2021年全球新一代5G智能手機出貨量將增長至5.75億部。然而，鑒于假期購買旺季的不確定性以及預計明年移動端DRAM價格較低，智能手機制造商仍對購買過多DRAM 持謹慎態度，預計在今年第四季度依然會選擇專注于減少庫存供應。 IC Insights 認為，這將使移動端DRAM的價格在今年第四季度持平。

根據中研普華出版的《2021-2026年DRAM行業深度分析及投資戰略研究咨詢報告》顯示：

相較于2021年第三季度，2021年第四季度PC DRAM的價格下跌幅度在5~10%，服務器DRAM的價格下跌幅度在0~5%，值得一提的是這是服務器DRAM首次迎來價格下調。

其他種類的DRAM芯片，移動端DRAM價格相對來說比較持平，但結合目前DRAM芯片市場供過于求的現狀來看，移動端DRAM不排除在年底提前降價。之前炒得厲害的顯存，如今也迎來了降價，DDR4也下跌了5~10%。

中國DRAM生產廠商發展前景分析

當前，國內DRAM市場需求量激增，DRAM產業體系開始建立，在全球產業格局仍在加速重構的背景下，中國企業既有反超機遇。

根據Gartner數據，2020年全球存儲器市場規模達到1245.4億美元,目前韓、美、日廠商幾乎壟斷全球存儲器市場，我國存儲芯片幾乎完全依靠進口。但長江存儲、長鑫存儲技術有限公司(以下簡稱長鑫存儲)等存儲項目正穩步推進。

據CFM閃存市場統計，2020年全年三星NAND Flash的營收在全球各存儲原廠NAND Flash總營收中的占比高達33%，鎧俠占比19%，西部數據占15%，美光和SK海力士各占11%，英特爾占10%。DRAM方面呈“三足鼎立”格局，三星營收占比高達43%，SK海力士和美光分別占比29%和23%。雖然國內的長江存儲和長鑫存儲起步較晚，但在2020年三季度紛紛突破1%的市場份額。

從市場需求來看，中國已成為全球存儲器最重要的需求市場之一。CFM閃存市場數據顯示，在中國的DRAM和NAND Flash銷售規模占據全球30%以上市場份額。

而中國的存儲原廠正在技術層面加速追趕。據了解，NAND Flash在發展過程中逐漸由平面結構升級為三維架構，通過工藝技術的提升，可以逐漸增加存儲單元的層數，實現在單位面積下更高的存儲容量。

想知道更多DRAM行業詳細分析，可點擊中研普華產業研究院出版的《2021-2026年DRAM行業深度分析及投資戰略研究咨詢報告》

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