第三代半導體產業發展現狀及進程 第三代半導體產業發展相關項目匯總

• 2019年5月24日 WuYaNan來源：深圳新聞網 1483 98
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我國第三代半導體材料市場繼續保持高速增長，總體市場規模已達到5.97億元，同比增長47.3%。

第三代半導體產業發展現狀及進程，相關項目有哪些？

2018年，在國家政策大力扶持的雙重驅動力下，我國第三代半導體材料市場繼續保持高速增長，總體市場規模已達到5.97億元，同比增長47.3%。

預計未來三年中國第三代半導體材料市場規模仍將保持20%以上的平均增長速度，到2021年將達到11.9億元。

隨著技術的發展，終端設備對于半導體器件性能、效率、小型化要求的越來越高。特別是隨著5G的即將到來，也進一步推動了以氮化鎵(GaN)第三代半導體材料的快速發展。

目前占據消費品電子領域市場主流的砷化鎵射頻功率放大器(GaAs PA)已無法滿足5G的技術需求，相比之下，氮化鎵射頻功率放大器(GaN PA)具有更高的功率、增益和效率，用于基站端能更有效地滿足未來5G技術所需要的高功率、高效率以及高通信頻段等要求。因此，GaN PA成為最有潛力的發展熱點。

研究數據顯示2016年射頻功率半導體(>3W)市場規模接近15億美元，預計2020年將達到26億美元，其中電信基礎設施(包含基站、無線回傳)射頻功率半導體將占據一半的市場份額。但是2016年GaAs器件市場占比較多，GaN器件僅占比約20%。2017年GaN射頻器件市場規模約為3.8億美元，預計2023年將達到13億美元。

第三代半導體材料即寬禁帶半導體材料(禁帶寬度大于2.2ev)，主要包括碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAS)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)，較為成熟的是碳化硅和氮化鎵被稱為第三代半導體材料的雙雄，而氧化鋅、金剛石、氮化鋁的研究尚屬起步階段。微波射頻領域、光電領域、電力電子等領域為第三代半導體提供了廣闊的市場空間。

第三代半導體項目進行統計(4個項目)：

中科院碳化硅產業一體化項目

中科院碳化硅產業一體化項目總投資20億元，主要產品為碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOS晶體管等功率器件。

北京雙儀微電子項目

北京雙儀微電子科技有限公司公開表明投資意向將投資10億元在北京市亦莊經濟技術開發區建造目前全國唯一具備規模化量產能力的先進工藝技術生產線，進行砷化鎵微波集成電路(GaAs MMIC)芯片的代工服務，預計于2019年初投產使用。

2016可謂是我國第三代半導體產業發展“元年”，以“北京第三代半導體材料及應用聯合創新基地”正式動工和第三代半導體南方基地落戶廣東事件為標志，我國第三代半導體的地方基地布局在各級政府推動下正在逐步展開。

聚力成外延片和芯片產線項目

聚力成外延片和芯片產線項目由重慶捷舜科技有限公司投資建設，預計總投資50億元，主要從事氮化鎵外延片、芯片研發與生產、芯片封裝代工服務等。

據悉，按計劃，該項目在簽約后1個月內啟動建設，12個月內完成一期廠房建設并開始試生產。投產后的5年內總產值將達到100億元，稅收將超過13億元。同時，聚力成外延片和芯片產線項目產業配套項目總投資達40億元，占地300畝，還將建設中國區總部、科技研發及產學基地。

天岳碳化硅材料項目

天岳碳化硅材料項目由山東天岳晶體材料有限公司開發建設，總投資30億元，項目分為兩期建設，一期占地156畝，主要生產碳化硅導電襯底，預計年產值可達13億元;二期主要生產功能器件，包括電力器件封裝、模塊及裝置，新能源汽車及充電站裝置、軌道交通牽引變流器、太陽光伏逆變器等，預計年產值可達50～60億元。

該項目的開工標志著國內最大的第三代半導體碳化硅材料項目及成套工藝生產線正式開建。

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