存儲芯片行業分析報告

• 方蔓桃 2024年4月24日 來源：百度 368 17
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同時，隨著AI、大數據、云計算等技術的快速發展，對存儲芯片的需求也在不斷增加。尤其是在AI領域，由于需要處理海量數據，對高性能、高容量的存儲芯片需求尤為迫切。因此，AI企業的采購計劃對存儲芯片市場的影響不容忽視。

存儲芯片是集成電路價值量最大的產品之一，存儲芯片行業更是關系到國民經濟和社會發展的戰略性、基礎性和先導性產業，是培育和發展新興產業、推動信息化與工業化深度融合的核心和基礎。因此，近年來我國國家層面先后出臺了一系列針對存儲芯片設計行業的產業政策，推動了行業的迅速發展。

2021Q3后，半導體下游需求出現結構性分化，消費電子增速放緩。2022Q2 以來受疫情影響，經濟增速放緩，全球半導體行業進入下行周期。隨著新一輪來自人工智能、數字經濟和智能汽車的創新催化，全球半導體銷售額增速在 2023Q2 出現拐點，我們判斷全球半導體產業進入新一輪向上周期。

據中研產業研究院《2024-2029年中國存儲芯片行業市場競爭分析及發展預測報告》分析：

存儲芯片行業市場深度分析

存儲原廠仍有漲價意愿，且本輪存儲價格上行周期可能至少會持續6-8個季度，因此存儲漲價趨勢或將持續。這將有助于改善行業利潤率，提升企業的盈利能力。

同時，隨著AI、大數據、云計算等技術的快速發展，對存儲芯片的需求也在不斷增加。尤其是在AI領域，由于需要處理海量數據，對高性能、高容量的存儲芯片需求尤為迫切。因此，AI企業的采購計劃對存儲芯片市場的影響不容忽視。

然而，需要注意的是，存儲芯片市場的波動性較大，價格受供需關系、技術進步、政策環境等多種因素影響。因此，雖然當前存儲芯片市場呈現回暖和漲價趨勢，但未來市場走勢仍存在不確定性。企業和投資者需要密切關注市場動態，謹慎做出決策。

中金指出其大約每3至4年經歷一次波動周期，上行周期通常由終端銷量激增、新技術應用推廣、晶圓廠產能整合或減產等因素驅動，而下行周期則多由產能過剩、全球經濟狀況不佳及市場需求萎靡等因素引發。此外，股價變動往往領先于公司基本面變化，提前1至2個季度做出反應。利基存儲市場與大類存儲市場的趨勢同步性較高，供需結構具有一定的相似性。

目前，存儲芯片行業的供給端去產能已初見成效，需求端景氣度逐漸修復，大類存儲產品的價格預計將持續上行。DDR4產品因產能受到HBM和DDR5的擠壓而出現短缺，預計其在2024年第一季度仍將保持景氣;NAND閃存則受益于客戶補庫需求，即便在傳統淡季也能保持需求強勁;HBM產品及新一代DDR5內存則在AI計算需求的推動下呈現供不應求的狀態，價格維持高位。

存儲模組方面，在上游存儲芯片價格反彈的帶動下，模組價格亦將相應上漲。隨著服務器等下游產品需求回暖，存儲模組廠商的備貨意愿增強，臺灣和大陸的模組廠商自2023年第三季度開始戰略性備貨，中金預計這部分庫存將在2024年開始逐步釋放。

存儲芯片行業市場機遇分析

隨著各行業數據量呈指數級增長、云計算需求增加、移動設備和物聯網的興起、5G網絡的推廣以及新興技術的發展，存儲芯片將持續受到需求的推動。同時，為了滿足不斷增長的需求和提高性能，存儲芯片制造商不斷推出新的技術和產品，技術創新將進一步利好存儲芯片市場的發展。據預測，2028年中國存儲芯片市場規模有望超1200億美元。

近六年來我國存儲芯片行業快速發展，且在國產芯片的替代和消費電子需求快速增長的背景下，國內存儲芯片市場規模整體擴大。從2016年到2021年我國存儲芯片市場規模從1514億元增長至3383億元，平均年復合增長率約為20.57%。

DRAM，全稱動態隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory)，是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。由于DRAM需要刷新(refresh)來定期保存數據，它只可用作暫時存儲器，即計算機主存或其它需要高速訪問的設備中的臨時數據存儲。

如果想要了解更多存儲芯片行業詳情分析，可以點擊查看中研普華研究報告《2024-2029年中國存儲芯片行業市場競爭分析及發展預測報告》。

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