第三代半導體產業發展態勢 我國第三代半導體產業規模將達全球第一

• 2021年6月25日 HuangJiang來源：中國新聞網 1133 73
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第三代半導體作為后摩爾時代實現芯片性能突破的核心技術之一，我國第三代半導體已列入2030年國家新材料重大項目七大方向之一，正處于研發及產業化發展的關鍵期。根據規劃，到2025年我國將力爭實現第三代半導體技術在全球居于領先地位，產業規模將達到全球第一。

第三代半導體材料具有寬的禁帶寬度，高的擊穿電場、高的熱導率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常又被稱為寬禁帶半導體材料(禁帶寬度大于2.2ev)，也稱為高溫半導體材料。第三代半導體材料主要以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表。

第三代半導體材料產業發展趨勢

第三代半導體作為后摩爾時代實現芯片性能突破的核心技術之一，受到資本熱捧，其應用領域包括電動汽車、光伏等功率、5G射頻、手機快充等。

第三代半導體雖然是近期才火熱起來的概念，但實際上已經悄然發展了多年。宏觀來看，第三代半導體產業大約可以分為襯底-外延-器件-制造四大環節，其中襯底可理解為晶圓環節，外延是在襯底基礎上成長出合適的材料結構用于后續設計，器件則類似芯片設計。第三代半導體的其中一個難點就在于襯底部分。

第三代半導體材料中，氮化鎵襯底的生長難度更大，而碳化硅的發展路線會更成熟，相關公司也較多。

商用較快的氮化鎵快充產業鏈，主要為硅基作為襯底、生長異質的氮化鎵材料作為外延，以此進行產品設計;而發展很成熟的LED產業，此前也主要是以藍寶石材料作為襯底，采用異質的氮化鎵材料作為外延，再進行相關顯示功能的設計。相比之下，碳化硅作為襯底，并以同質的碳化硅襯底進行外延生長，再進行產品設計就是相對可行的路線，且目前碳化硅襯底再生長氮化鎵外延進行產品設計也在陸續推進過程中。

國家第三代半導體技術產業規模

科技部正式批復支持廣東省和江蘇省建設國家第三代半導體技術創新中心。創新中心由深圳市政府、江蘇省政府共同支持建設，設置深圳平臺和江蘇平臺。

它將聚焦第三代半導體關鍵核心技術和重大應用突破，統籌全國優勢力量為第三代半導體產業提供源頭技術供給，推動我國第三代半導體產業創新能力整體躍升。

今年深圳市政府工作報告已明確指出，將加快國家第三代半導體技術創新中心等重大創新平臺建設。

4月19日，姑蘇城傳捷報。國家第三代半導體技術創新中心江蘇平臺在蘇州工業園區正式揭牌，江蘇第三代半導體研究院為建設實施單位。據悉，該園區第三代半導體產業已培育了40多家上下游骨干企業，形成了完整的第三代半導體產業鏈。

我國第三代半導體已列入2030年國家新材料重大項目七大方向之一，正處于研發及產業化發展的關鍵期。根據規劃，到2025年我國將力爭實現第三代半導體技術在全球居于領先地位，產業規模將達到全球第一;到2030年全產業鏈達到國際先進水平，核心器件國產化率超過70%。

第三代半導體碳化硅概念股

2019年我國第三代半導 體 市 場 規 模 為 94.15 億 元 ， 預 計2019-2022年將保持85%以上平均增長速度，到2022年，市場規模將達到623.42億元。

第三代半導體國內外差距相對較小，“新基建”等應用驅動行業快速發展，市場空間廣闊。特別是在美國持續升級對我國半導體產業技術封鎖的大環境中，第三代半導體有望成為我國半導體產業突圍先鋒，相關產業鏈上下游企業將充分受益。第三代半導體碳化硅概念股如露笑科技、三安光電、聞泰科技、揚杰科技、北方華創、華峰測控、捷捷微電等。

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