新基建提速為第三代半導體產業發展提供新機遇 2021第三代半導體產業投資前景預測

• 2021年3月2日 WuYaNan來源：中研網 1345 88
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放眼國際，2019年全球半導體產業整體處于低迷期，但第三代半導體技術、產品、市場、投資均呈現較高增長態勢，龍頭企業紛紛加強在第三代半導體領域的布局，通過調整業務領域，擴大產能供給，整合并購，增強競爭能力。“‘新基建’提速為我國第三代半導體產業發展提供了寶

2021年，我國半導體行業國產替代正在關鍵時期，大量資本涌入，其中第三代半導體產業是投資重點。工信部、銀保監會聯合發布關于開展2020年度重點新材料首批次應用保險補償機制試點工作的通知。生產《重點新材料首批次應用示范指導目錄(2019年版)》內新材料產品，且于2020年1月1日至2020年12月31日期間投保重點新材料首批次應用綜合保險的企業，符合首批次保險補償工作相關要求，可提出保費補貼申請。

全球硅晶圓產量將較上年成長2.4%，明年將延續成長，望在2022年攀升至歷史新高。數據中心基礎設施和伺服器存儲需求增加等帶動今年全球晶圓廠設備支出增幅達到8%，2021年再進一步增長13%。新材料第三代半導體發展迅速，汽車應用驅動碳化硅市場蓬勃發展，引入碳化硅元件車廠的數量大大增加，碳化硅在車用半導體主要的應用包括車載充電器，轉換器與逆變器。預計2025年將在元件總市場中占據超過50%的比例。

2020年第三代半導體市場規模預計有望從10億美元增加至2025年的35億美元，年復合增長率超過20%。

依據英國半導體產業協會(SIA)的數據信息，預計2020年全世界半導體銷售總額將在2019年4123億美金(16.7萬億馬來幣)的基本上，提高5.1%，做到4331億美元(17.六萬億馬來幣)，而2021年將提高8.4%。英國投行科學研究企業說，中國與美國技術性關聯的可變性很有可能會減少，進而造成 特朗普總統拜登(JoeBiden)當政期內的局勢緊張有一定的減輕。

第三代半導體材料具有寬的禁帶寬度，高的擊穿電場、高的熱導率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常又被稱為寬禁帶半導體材料(禁帶寬度大于2.2ev)，也稱為高溫半導體材料。

半導體用環氧塑封料(EMC)行業市場規模及增速

圖表：2014-2016年半導體用環氧塑封料(EMC)行業市場規模及增速

數據來源：中研普華

新基建提速為第三代半導體產業發展提供新機遇

半導體產業是新一代信息技術產業發展的核心。芯片被譽為電子信息產業皇冠上的明珠，而半導體設備光刻機被稱為芯片工業皇冠上的明珠。據悉，在晶圓代工廠領域，中芯國際和華虹半導體是國內數一數二的企業。但來自臺灣的臺積電處于絕對的領先地位，中芯國際和華虹半導體與臺積電的差距還十分明顯。

中國是世界上最大的集成電路市場，占全球份額一半以上。目前，全球半導體行業主要由美國、韓國以及中國臺灣領導。由于是后進國家，我國每年在半導體行業投下大量資金，而且經費不斷上升，但依舊扮演著新進追趕者的角色，與國際領先技術依然存在代差。

放眼國際，2019年全球半導體產業整體處于低迷期，但第三代半導體技術、產品、市場、投資均呈現較高增長態勢，龍頭企業紛紛加強在第三代半導體領域的布局，通過調整業務領域，擴大產能供給，整合并購，增強競爭能力。“‘新基建’提速為我國第三代半導體產業發展提供了寶貴機遇。

新能源車、光伏風電、5G 射頻器件、不間斷電源、家電工控等都被第三代半導體盡收囊中。近日，阿里巴巴達摩院發布2021年十大科技展望，未來幾年，以氮化鎵和碳化硅為代表的第三代半導體材料將在材料生長、器件制備等技術上實現突破，并應用于 5G 基站、新能源汽車、特高壓、數據中心等新基建場景，大幅降低整體能耗。

可以預見，未來第三代半導體產業發展空間巨大。

第三代半導體行業研究報告在總結中國第三代半導體行業發展歷程的基礎上，結合新時期的各方面因素，對行業的發展趨勢給予了細致和審慎的預測論證。未來第三代半導體行業將如何發展?請點擊查看中研普華研究院報告《2020-2025年中國第三代半導體行業發展現狀分析與投資前景預測研究報告》。

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  第三代半導體材料具有寬的禁帶寬度，高的擊穿電場、高的熱導率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常又被稱為寬禁帶半導體材料（禁帶寬...

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