第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模分析 2021第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及前景分析研究報(bào)告

• 2020年12月2日 zengyan來源：互聯(lián)網(wǎng) 824 50
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第三代半導(dǎo)體材料是什么?第三代半導(dǎo)體是指半導(dǎo)體材料的變化，從第一代、第二代過渡到第三代。第三代半導(dǎo)體材料以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、金剛石為四大代表，是5G時(shí)代的主要材料。第三代半導(dǎo)體的性能優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在：耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻射、

2021第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及前景分析研究報(bào)告

第三代半導(dǎo)體材料是什么?第三代半導(dǎo)體是指半導(dǎo)體材料的變化，從第一代、第二代過渡到第三代。第三代半導(dǎo)體材料以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、金剛石為四大代表，是5G時(shí)代的主要材料。第三代半導(dǎo)體的性能優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在：耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻射、導(dǎo)電性能強(qiáng)、工作速度快、工作損耗低。

第一代半導(dǎo)體材料是以硅(Si)和鍺(Ge)為代表，目前大部分半導(dǎo)體是基于硅基的。

第二代半導(dǎo)體材料是以砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)為代表，是4G時(shí)代的大部分通信設(shè)備的材料。

第三代半導(dǎo)體材料具有寬的禁帶寬度，高的擊穿電場(chǎng)、高的熱導(dǎo)率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料(禁帶寬度大于2.2ev)，也稱為高溫半導(dǎo)體材料。

從應(yīng)用領(lǐng)域看，第三代半導(dǎo)體主要有三個(gè)應(yīng)用方向，為光電子、電力電子、微波射頻。光電子可用于激光顯示、環(huán)境監(jiān)測(cè)、紫外光源等領(lǐng)域，電力電子可用于工業(yè)機(jī)電、新能源并網(wǎng)、軌道交通等領(lǐng)域，微波射頻可用于遙感、雷達(dá)、衛(wèi)星通訊等領(lǐng)域。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心。芯片被譽(yù)為電子信息產(chǎn)業(yè)皇冠上的明珠，而半導(dǎo)體設(shè)備光刻機(jī)被稱為芯片工業(yè)皇冠上的明珠。據(jù)悉，在晶圓代工廠領(lǐng)域，中芯國(guó)際和華虹半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)數(shù)一數(shù)二的企業(yè)。但來自臺(tái)灣的臺(tái)積電處于絕對(duì)的領(lǐng)先地位，中芯國(guó)際和華虹半導(dǎo)體與臺(tái)積電的差距還十分明顯。

第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模分析

中國(guó)是世界上最大的集成電路市場(chǎng)，占全球份額一半以上。目前，全球半導(dǎo)體行業(yè)主要由美國(guó)、韓國(guó)以及中國(guó)臺(tái)灣領(lǐng)導(dǎo)。由于是后進(jìn)國(guó)家，我國(guó)每年在半導(dǎo)體行業(yè)投下大量資金，而且經(jīng)費(fèi)不斷上升，但依舊扮演著新進(jìn)追趕者的角色，與國(guó)際領(lǐng)先技術(shù)依然存在代差。

放眼國(guó)際，2019年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體處于低迷期，但第三代半導(dǎo)體技術(shù)、產(chǎn)品、市場(chǎng)、投資均呈現(xiàn)較高增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，龍頭企業(yè)紛紛加強(qiáng)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的布局，通過調(diào)整業(yè)務(wù)領(lǐng)域，擴(kuò)大產(chǎn)能供給，整合并購(gòu)，增強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)能力。“‘新基建’提速為我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了寶貴機(jī)遇。

中國(guó)市場(chǎng)的半導(dǎo)體銷售占了全球的1/3，是份額最大的，相當(dāng)于美國(guó)、歐盟及日本的總和，不過這主要是因?yàn)橹袊?guó)是全球制造的中心，尤其是電腦、手機(jī)產(chǎn)量第一，消耗了最多的芯片。

2019年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)收4121億美元，其中占比最多的是存儲(chǔ)芯片，但下滑也是最厲害的，平均銷售額下滑了32.6%(均價(jià)下滑嚴(yán)重但容量出貨增長(zhǎng))，其中內(nèi)存銷售額下滑了37.1%，閃存銷售額下滑了25.9%。微處理器去年的銷售額是664億美元，占比第三，而廣電產(chǎn)品則是去年的亮點(diǎn)，銷售額增加了9.3%。

近日發(fā)布的《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展報(bào)告(2019年)》預(yù)測(cè)，2024年我國(guó)第三代半導(dǎo)體電力電子器件應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模將近200億元，未來5年復(fù)合增長(zhǎng)率超過40%。

根據(jù)中研研究院研究出版的《2020-2025年中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析與投資前景預(yù)測(cè)研究報(bào)告》統(tǒng)計(jì)分析顯示：

近日，2020世界半導(dǎo)體大會(huì)暨國(guó)際第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇上，國(guó)家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會(huì)委員、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲透露：國(guó)家2030計(jì)劃和“十四五”國(guó)家研發(fā)計(jì)劃都已經(jīng)明確，第三代半導(dǎo)體是重要發(fā)展方向，現(xiàn)在到了動(dòng)議討論實(shí)施方案的階段。

新基建帶來廣闊空間從20世紀(jì)80年代起，第三代半導(dǎo)體材料催生了照明、顯示、藍(lán)光存儲(chǔ)等光電領(lǐng)域的新需求和新產(chǎn)業(yè)。近十年來，第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)用的熱點(diǎn)轉(zhuǎn)向電子器件領(lǐng)域，在光伏逆變器、電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)模塊、UPS、電力變換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等涉及電力、電器、電子和新能源的領(lǐng)域都有著重要的應(yīng)用。

新基建帶來廣闊空間從20世紀(jì)80年代起，第三代半導(dǎo)體材料催生了照明、顯示、藍(lán)光存儲(chǔ)等光電領(lǐng)域的新需求和新產(chǎn)業(yè)。近十年來，第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)用的熱點(diǎn)轉(zhuǎn)向電子器件領(lǐng)域，在光伏逆變器、電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)模塊、UPS、電力變換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等涉及電力、電器、電子和新能源的領(lǐng)域都有著重要的應(yīng)用。

隨著第三代半導(dǎo)體的戰(zhàn)略意義被廣泛認(rèn)知，國(guó)內(nèi)廠商加速布局，形成了包括襯底、外延、器件設(shè)計(jì)、流片、封裝、系統(tǒng)在內(nèi)的產(chǎn)業(yè)鏈條。

《2020-2025年中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析與投資前景預(yù)測(cè)研究報(bào)告》由中研普華研究院撰寫，本報(bào)告依據(jù)全國(guó)及海外多種相關(guān)報(bào)紙雜志的基礎(chǔ)信息等公布和提供的大量資料和數(shù)據(jù)，客觀、多角度地對(duì)中國(guó)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)進(jìn)行了分析研究。報(bào)告在總結(jié)中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展歷程的基礎(chǔ)上，結(jié)合新時(shí)期的各方面因素，對(duì)中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)給予了細(xì)致和審慎的預(yù)測(cè)論證。報(bào)告資料詳實(shí)，圖表豐富，既有深入的分析，又有直觀的比較，為第三代半導(dǎo)體企業(yè)在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中洞察先機(jī)，能準(zhǔn)確及時(shí)的針對(duì)自身環(huán)境調(diào)整經(jīng)營(yíng)策略。

報(bào)告對(duì)于第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品生產(chǎn)企業(yè)、經(jīng)銷商、行業(yè)管理部門以及擬進(jìn)入該行業(yè)的投資者具有重要的參考價(jià)值，對(duì)于研究我國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展規(guī)律、提高企業(yè)的運(yùn)營(yíng)效率、促進(jìn)企業(yè)的發(fā)展壯大有學(xué)術(shù)和實(shí)踐的雙重意義。

未來第三代半導(dǎo)體行業(yè)將如何發(fā)展?想要了解更多關(guān)于第三代半導(dǎo)體行業(yè)具體詳情分析，可以點(diǎn)擊查看中研普華研究報(bào)告《2020-2025年中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析與投資前景預(yù)測(cè)研究報(bào)告》。

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  第三代半導(dǎo)體材料具有寬的禁帶寬度，高的擊穿電場(chǎng)、高的熱導(dǎo)率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料（禁帶寬...

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