由于在現實中晶體管會有漏電電流的現象，導致電容上所存儲的電荷數量并不足以正確的判別數據，而導致數據毀損。
由于在現實中晶體管會有漏電電流的現象，導致電容上所存儲的電荷數量并不足以正確的判別數據，而導致數據毀損。因此對于DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性，因此被稱為“動態”存儲器。相對來說，靜態存儲器(SRAM)只要存入數據后，縱使不刷新也不會丟失記憶。
與大部分的隨機存取存儲器(RAM)一樣，由于存在DRAM中的數據會在電力切斷以后很快消失，因此它屬于一種易失性存儲器(volatile memory)設備。
與所有半導體產品一樣，少數公司傾向于控制特定產品的多數市場份額，DRAM也不例外，存儲器行業科技含量高，高昂的研發成本使得資本支出大且增速高于其他行業，從而壟斷格局牢固，巨頭優勢下馬太效應愈演愈烈。三星、美光、SK海力士三巨頭已經在DRAM領域形成了“高市占率→高營業額→研發投入大→技術領先→搶占市場”的良性循環。據統計，2020年Q3三星占據41.3%市場份額，SK海力士占據28.2%市場份額，美光占據25%市場份額，其他占比5.5%。
目前國內三大存儲器制造商分別是長江存儲，福建晉華和合肥長鑫。長江存儲主要負責NAND Flash技術研發，福建晉華和合肥長鑫則負責DRAM領域。2018年下半年福建晉華投產之后，被美國商務部以國家安全為由列入出口管制清單，美國三大半導體制造商在禁令當天撤出福建晉華12寸廠，隨后技術合作方臺灣聯電表態終止合作，福建晉華于2019年3月停產。目前國產替代DRAM最大希望就在合肥長鑫。
據公開數據統計，今年全球存儲器的市場規模將超過1500億美金，其中NAND Flash大約在650億美元左右，而DRAM大概在911億美元。未來隨著智能手機、PC、數據中心等對存儲器需求不斷增長，從2020年到2025年全球NAND Flash容量將維持在30%左右高增長，DRAM容量將以20%左右的增長率成長。
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