全球刻蝕設備行業的主要企業即泛林半導體,東京電子和應用材料三家。從全球刻蝕設備市場份額來看,三家企業的合計市場份額就占到了全球刻蝕設備市場的90%以上。其中泛林半導體獨占52%的市場份額,東京電子與應用材料分別占據20%和19%的市場份額。
刻蝕是通過移除晶圓表面材料,在晶圓上根據光刻圖案進行微觀雕刻,將圖形轉移到晶圓表面的工藝。刻蝕分為濕法刻蝕和干法刻蝕,濕法刻蝕是利用化學溶液溶解晶圓表面的材料,干法刻蝕使用氣態化學刻蝕劑與材料產生反應來刻蝕材料并形成可以從襯底上移除的揮發性副產品。
刻蝕工藝使用的半導體設備為刻蝕機。全球刻蝕設備行業的主要企業即泛林半導體,東京電子和應用材料三家。從全球刻蝕設備市場份額來看,三家企業的合計市場份額就占到了全球刻蝕設備市場的90%以上。其中泛林半導體獨占52%的市場份額,東京電子與應用材料分別占據20%和19%的市場份額。
國內的刻蝕設備企業主要有中微公司、北方華創、屹唐半導體和中電科。其中,中微公司、北方華創和屹唐半導體均以生產干法刻蝕設備為主,中電科除了生產干法刻蝕設備以外還生產濕法刻蝕設備。除上述企業外,國內還有創世微納、芯源微和華林科納等企業生產刻蝕設備。
據中研產業研究院報告《2021-2026年中國刻蝕機市場深度全景調研及投資前景分析報告》分析
刻蝕機產業鏈中,上游為刻蝕機的四大組成部分,主要包括預真空室、刻蝕腔體、供氣系統及真空系統;中游為刻蝕機的制造,刻蝕技術主要有兩種,傳統濕法刻蝕技術及現代干法刻蝕技術;下游為刻蝕機的應用,主要用來制造半導體器件、太陽能電池及其他微機械制造。
由于光刻機在20nm以下光刻步驟受到光波長度的限制,因此無法直接進行光刻與刻蝕步驟,而是通過多次光刻、刻蝕生產出符合人們要求的更微小的結構。目前普遍采用多重模板工藝原理,即通過多次沉積、刻蝕等工藝,實現10nm線寬的制程。根據相關數據,14nm制程所需使用的刻蝕步驟達到64次,較28nm提升60%;7nm制程所需刻蝕步驟更是高達140次,較14nm提升118%,工藝升級持續推動刻蝕機用量提升。
近年來,隨著國內晶圓廠制程工藝的進步,多重曝光工藝逐步得到應用,對刻蝕設備的需求潛力增大,帶動了我國刻蝕設備行業的發展。在政策的推動和研發的進步下,我國刻蝕設備行業涌現出了一批優秀的領先企業。但我國企業在刻蝕設備制造方面距離世界頭部企業仍有一定的距離,刻蝕設備研發進度仍待加快。
2020年全球刻蝕設備市場規模123.3億美元,預計到2024年市場規模151.8億美元,2019-2024年年均復合增長率為7%。
根據被刻蝕材料的不同,刻蝕設備可分為介質刻蝕設備和導體刻蝕設備,其中導體刻蝕包括硅刻蝕和金屬刻蝕。數據顯示,2020年全球導體刻蝕和介質刻蝕占比分別為61%和39%。
國產替代空間廣
國內刻蝕龍頭企業的部分技術已達到國際一流水平。在目前廣泛使用的高密度等離子刻蝕設備上,中微公司的ICP和CCP刻蝕設備與泛林集團DRIE刻蝕設備的刻蝕效果相當。同時,中微公司的介質刻蝕已經進入臺積電7nm/5nm產線,是唯一一家進入臺積電產線的國產刻蝕設備生產商。北方華創在ICP刻蝕領域優勢顯著,已量產28nm制程以上的刻蝕設備,同時已經突破14nm技術,并進入中芯國際14nm產線驗證階段。隨著國內刻蝕龍頭緊跟先進制程發展,加大研發投入,積極并購與整合,整體國產刻蝕設備水平有望快速迭代升級并完成刻蝕領域的國產替代。
想要了解更多刻蝕機行業的發展前景,請查閱《2021-2026年中國刻蝕機市場深度全景調研及投資前景分析報告》。

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2021-2026年中國刻蝕機市場深度全景調研及投資前景分析報告
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