2022年中國IGBT市場現狀分析 全球IGBT行業發展向好

• 陳澤芳 2022年12月9日 來源：中研普華 互聯網 937 58
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當下IGBT國產化率還是很低的，2019年只有12%，據說2022年可能會突破30%，國產替代的空間是相當大的。國產廠商目前鉚足了勁擴產，憑借性價比、本土供應鏈便利性是很有可能趁機擴大市場份額的。從我國IGBT應用結構情況來看，工業控制、新能源汽車、新能源發電已然是IGBT

從20世紀80年代至今，IGBT芯片經歷了6代升級，從平面穿通型到溝槽型電場到截止型，芯片面積、工藝線寬、通態飽和壓降、關斷時間、功率損耗等各項指標經歷了不斷的優化，斷態電壓也從600V提高到了6500V以上。IGBT是誕生于20世紀80年代的功率半導體分立器件，進入工業應用時間較晚，雖然目前占整體功率半導體分立器件市場份額較小，但它代表了未來的發展方向，市場規模增長很快。其中IGBT7作為最新一代技術，其溝道密度更高，元胞間距也經過精心設計，并且優化了寄生電容參數，從而實現5kv/us下的最佳開關性能。

隨著近年來全球IGBT行業發展向好，其市場規模也隨之逐年遞增。據資料顯示，2021年全球IGBT市場規模約為70.9億美元，同比增長6.6%。2021年我國IGBT產量為2580萬只，同比增長27.7%;需求量為13200萬只，同比增長20%。

當下IGBT國產化率還是很低的，2019年只有12%，據說2022年可能會突破30%，國產替代的空間是相當大的。國產廠商目前鉚足了勁擴產，憑借性價比、本土供應鏈便利性是很有可能趁機擴大市場份額的。從我國IGBT應用結構情況來看，工業控制、新能源汽車、新能源發電已然是IGBT主要的應用領域。其中新能源汽車占比約為31%，工業控制占比約為20%，新能源發電占比約為11%。

根據中研普華產業研究院發布的《2022-2027年中國IGBT市場現狀分析及發展前景預測報告》顯示：

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由(Bipolar Junction Transistor，BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應管(Metal Oxide Semiconductor，MOS)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(Giant Transistor，GTR)的低導通壓降兩方面的優點。

IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。

作為電力電子重要大功率主流器件之一，IGBT已經廣泛應用于家用電器、交通運輸、電力工程、可再生能源和智能電網等領域。在工業應用方面，如交通控制、功率變換、工業電機、不間斷電源、風電與太陽能設備，以及用于自動控制的變頻器。在消費電子方面，IGBT用于家用電器、相機和手機。

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  2022-2027年中國IGBT市場現狀分析及發展前景預測報告

  IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）組成的...

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