第三代半導體市場現狀 第三代半導體行業研究報告

• 2021年11月12日 ZhouJiaLiang來源：互聯網 1183 76
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經過近10年的發展，我國基本建立了以 SiC 和 GaN 為代表的第三代半導體材料、工藝和裝備產業體系。該類材料緊密圍繞光電子、新能源、 5G等熱點應用，在未來5年內將迎來產業化發展的重要機遇。

二十一世紀以來，以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、金剛石為四大代表的第三代半導體材料開始初露頭角。第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的導熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性。第三代半導體材料可以實現更好的電子濃度和運動控制，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件，在光電子和微電子領域具有重要的應用價值。目前，市場火熱的5G基站、新能源汽車和快充等都是第三代半導體的重要應用領域。

據中研產業研究院報告《2020-2025年中國第三代半導體行業發展現狀分析與投資前景預測研究報告》分析

經過近10年的發展，我國基本建立了以 SiC 和 GaN 為代表的第三代半導體材料、工藝和裝備產業體系。該類材料緊密圍繞光電子、新能源、 5G等熱點應用，在未來5年內將迎來產業化發展的重要機遇。

盡管全國已布局第三代半導體項目眾多，但由于產線建設調試周期較長、項目爛尾等問題，真正量產的并不多;加之下游應用市場增長，國內現有產品商業化供給是無法滿足市場需求，尤其是SiC電力電子器件和GaN射頻器件存在較大缺口，且國內企業產品成本、性能等方面競爭力不足，因此，我國第三代半導體各環節國產化率較低，有數據顯示，目前超過八成的產品依賴進口。

第三代半導體市場現狀 第三代半導體行業研究報告

近年來，在國家及地方政府層面，多次出臺行業扶持政策，重點發展第三代半導體產業，解決半導體行業“卡脖子”問題。在火熱的市場環境下，各地政府也積極參與到三代半導體項目的投資建設當中。

因三代半導體投資規模相對較低，產業鏈上游的材料及生產環節不再集中于一二線城市，而是全國遍地開花。數據顯示，2018-2020年，我國僅SiC項目政府投資達到32個，計劃投資金額超過700億。

先進半導體材料是全球半導體產業發展新的戰略高地。目前正在快速發展的第三代半導體材料碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鎵(Ga2O3)、氮化鋁(AlN)、金剛石(C)等，主要面向新一代電力電子、微波射頻和光電子應用，在新一代移動通信、新能源并網、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子、新一代顯示等領域有廣闊的應用前景，成為全球半導體產業發展新的戰略高地。

在5G信息技術時代，第三代半導體迎來新發展機遇，新基建的實施助推第三代半導體產業發展進入黃金窗口期，呈現一派發展好勢頭，有望逐步實現自主可控、安全可靠的第三代半導體產業體系，與第一代、第二代半導體優勢互補、協同支撐新一代信息技術創新發展，支撐中國新時期社會經濟的高質量發展。

想要了解更多第三代半導體行業的發展前景，請查閱《2020-2025年中國第三代半導體行業發展現狀分析與投資前景預測研究報告》。

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