2022中國半導體材料產業園發展現狀及前景分析

• 2021年11月29日 WuYaNan來源：互聯網 1273 83
• 繁體

近年來，在國家及地方政府層面，多次出臺行業扶持政策，重點發展第三代半導體產業，解決半導體行業“卡脖子”問題。在火熱的市場環境下，各地政府也積極參與到三代半導體項目的投資建設當中。

半導體材料發展態勢如何？市場投資潛力又如何？近年來，在國家及地方政府層面，多次出臺行業扶持政策，重點發展第三代半導體產業，解決半導體行業“卡脖子”問題。在火熱的市場環境下，各地政府也積極參與到三代半導體項目的投資建設當中。當前，國內半導體行業也不斷發展。據悉，國產功率半導體模塊及電驅動系統解決方案公司“臻驅科技”完成3億元的B2輪融資，由中金資本領投，容億投資、招商局資本、浦東科創集團旗下海望資本等新股東跟投。

2022中國半導體材料產業園發展現狀及前景分析

21世紀以來，以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、金剛石為四大代表的第三代半導體材料開始初露頭角。第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的導熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性。

第三代半導體是以SiC、GaN為代表的寬禁帶半導體材料，它們具有耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率等特點，在提高能效、系統小型化、提高耐壓等方面具有優勢，是助力節能減排并實現“碳中和”目標的重要發展方向。

國內在發展第三代半導體上的熱潮高漲，目前來看，從IDM、Fabless/材料、代工廠、設備、封測等各個產業鏈均有所布局。

2021年10月29日，露笑科技和長豐四面體對合肥露笑半導體碳化硅項目再次增資2億元人民幣。合肥露笑半導體碳化硅項目從2020年11月份破土開工建設。據公司財報中透露，合肥工廠今年9月份基本可實現6英寸導電型碳化硅襯底片的小批量生產。

吉林華微電子已建立肖特基、快恢復、單雙向 可控硅、全品類 MOS 及 IGBT 等國內齊全、且具有競爭優勢的功率半導體器件產品體系，目前正在積極布局以SiC和GaN為代表的第三代半導體器件技術 。

捷捷微電已與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發以 SiC、GaN 為代表第三代半導體材料的半導體器件，目前有少量碳化硅器件的封測，該系列產品仍在持續研究推進過程中。

當前，第三代半導體產業發展處于爆發前夜，全球資本加速進入，產業、資本同處“搶跑”階段。自2017年至今，近五年時間內，全國超20個省、覆蓋超40個城市，新簽約落地第三代半導體項目超60個，總投資金額超2000億元。在5G信息技術時代，第三代半導體迎來新發展機遇，新基建的實施助推第三代半導體產業發展進入黃金窗口期，呈現一派發展好勢頭。

產業園發發展優勢是什么？產業集群作為實現企業間有效協作的組織形式，是推動園區發展的必然選擇。對于產業園區來說，產業集群是一種系統性的發展理念，無論是改善現有的招商環境和創新環境，還是在招商引資工作中，都要從加強產業聯系出發，并以提高區域競爭力、發展有國際競爭力的產業為指導思想。在有條件的產業園區，及時地實行產業聯系推動戰略，并轉化為實際的對策措施，將會推動園區進一步發展。

產業園區作為產業集群的要載體和組成部分，現在園區經濟效應已引起越來越多人關注。國內外產業園區發展成功案例表明，產業園區能夠有效地創造聚集力，通過共享資源的、克服外部負效應，帶動關聯產業的發展，從而有效地推動產業集群的形成。

而產業園區恰恰有利于這些條件的形成，如政府對與園區進行整體規劃和科學管理，在企業引進上就考慮到產業的配套和企業的聯系等。目前，大多產業園區是指由政府或企業為實現產業發展目標而創立的特殊區位環境。

產業園區的一般特征是大量企業在一定區域的集中。但是，企業在地理位置上的集中和公共物品的共享并不必然產生聚集效應。產業園區的發展有賴于園內企業的產業關聯性或者業務關聯所形成的協同效應。波特認為，當共享行為對成本狀況與差異化驅動因素產生影響時，共享能帶來競爭優勢。

未來將如何發展?想了解更多關于半導體材料產業園區專業數據分析，請點擊查看中研普華研究院《2022-2027年中國半導體材料產業園區發展規劃及招商引資咨詢報告》。

• 相關深度報告REPORTS

  

  2022-2027年中國半導體材料產業園區發展規劃及招商引資咨詢報告

  "產業園區"是執行城市產業職能的重要空間形態，園區在改善區域投資環境、引進外資、促進產業結構調整和發展經濟等方面發揮積極的輻射、示范和帶動作用，成為城市經濟騰飛的助推器...

  查看詳情

延伸閱讀

推薦閱讀

猜您喜歡