兆易創新10萬次壽命38nm閃存量產 全球閃存廠商產量缺口及價格上漲趨勢分析

• 2022年2月22日 HuangJiang來源：新浪 849 52
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兆易創新表示，該系列包含 GD5F1GQ5/GD5F2GQ5/GD5F4GQ6產品，覆蓋1Gb-4Gb容量，從設計研發、生產制造到封裝測試所有環節，均采用國內供應鏈。

兆易創新10萬次壽命38nm閃存量產

2月22日，兆易創新通過官方公眾號宣布，旗下全國產化38nm SPI NAND Flash——GD5F全系列已通過AEC-Q100車規級認證。兆易創新表示，該閃存系列包含 GD5F1GQ5/GD5F2GQ5/GD5F4GQ6產品，覆蓋1Gb-4Gb容量，從設計研發、生產制造到封裝測試所有環節，均采用國內供應鏈。

該閃存產品極大程度上填補了國產大容量車用存儲器的空白，全面進入汽車應用領域，并且兆易創新擁有強大的本地化支持和快速的客戶響應能力，加速助力汽車應用的國產化。

目前，兆易創新GD5F全系列SPINAND Flash 均已通過AEC-Q100車規級認證，并且在其久經驗證的車規級GD25 SPI NOR Flash基礎上形成了有效的擴展。

在Flash存儲器領域，兆易創新已實現從SPI NOR Flash 到SPI NAND Flash的車規級產品的全面布局，為車載應用的國產化提供豐富多樣的選擇，兆易創新GD5F SPI NAND Flash 和GD25 SPI NOR Flash車規級產品均已量產。

根據中研普華出版的《2022-2026年閃存卡企業創業板IPO上市工作咨詢指導報告》顯示：

NAND Flash大廠西部數據、鎧俠2月10日表示，旗下位于日本四日市、北上兩座廠房產能受到原料污染影響，導致工廠停工。西部數據在公告中表示，預計受影響的閃存芯片產量“至少6.5艾字節”。Wells Fargo的分析師表示，這意味著停工帶來的產量總缺口約為16EB，而這相當于閃存芯片市場一個季度10%的消費量。(注：1EB=10億GB)

閃存企業產量缺口及價格上漲趨勢分析

這次污染事件只會加劇供應短缺和組件價格上漲趨勢。兩家公司全球NAND晶片市占總和高達32%以上，直逼龍頭三星，相關事件引發市場恐慌，傳出群聯第一時間調漲模組報價15%，其他廠商則暫停報價。

據世界半導體貿易統計組織(WSTS)統計，2021年全球半導體市場相比2020年增長25.6%，這是自2010年以來最大的增長，使得2021年全球半導體市場規模達到5530億美元。整體半導體市場并沒有受到疫情的負面影響，消費市場的強勁需求推動了半導體主要類別普遍超過10%的增長，其中存儲器增長高達34.6%，規模達到1581.61億美元。

2022年全球半導體市場規模將增長8.8%，達到6014.9億美元。存儲器類別的增長為8.5%，規模達到1716.82億美元，占整個半導體市場的28.5%。

2022年DRAM市場將由供不應求轉至供過于求。盡管DRAM價格將出現下滑，但在寡占市場型態下，整體產值并不會大幅下跌，預估2022年DRAM總產值將達915.4億美元，年增微幅上升0.3%。NAND Flash方面，2022年NAND Flash價格也將受供過于求影響而有所下滑。由于NAND Flash屬完全競爭市場，均價下滑的幅度較DRAM更加明顯。然而，NAND Flash在層數結構的堆棧持續推進，供給容量增長仍維持在30%以上，預估2022年NAND Flash總產值仍有成長空間，達741.9億美元，年增7.4%。

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