中國光芯片行業發展現狀及國產化率情況分析：國產替代率存在明顯的分化

• 馮少杰 2024年1月24日 來源：中研網 347 15
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光芯片，作為半導體產業鏈上游的核心元器件，已經在通信、工業、消費等領域得到廣泛應用。這種芯片按照功能可以分為激光器芯片和探測器芯片，分別承擔發射信號和接收信號的任務。

激光器芯片主要用于發射信號，將電信號轉化為光信號。按照出光結構的不同，激光器芯片又可以分為面發射芯片和邊發射芯片。面發射芯片以VCSEL芯片為代表，而邊發射芯片則包括FP、DFB和EML芯片等。探測器芯片則主要用于接收信號，將光信號轉化為電信號，主要有PIN和APD兩類。

光芯片行業發展現狀分析

隨著移動互聯網和云計算的迅猛發展，光芯片作為實現數據中心內部互聯及連接的核心器件，需求不斷攀升。隨著網絡架構的發展，所需光芯片數量成倍增加，且向高速率芯片轉移。隨著AI算力需求的增長趨勢確定，光芯片作為光模塊的核心器件有望深度受益。光芯片廠商有望在國產替代和技術創新趨勢下獲得高速增長。光芯片具有更大的附加價值量彈性，國產替代強預期，模塊廠商出海加持，高端光芯片需求量快速增長帶來導入窗口期，光芯片持續迭代帶來價值增量。

據中研產業研究院《2023-2028年中國光芯片行業發展現狀及趨勢預測報告》顯示，隨著光通信需求的持續增長，光芯片市場正迎來快速發展的黃金時期。2021年市場規模約為107.5億元，同比增長16.3%。而在2022年，市場規模進一步擴大至123.4億元。更令人期待的是，中商產業研究院的分析師預測，到2023年，中國光芯片市場規模將達到141.7億元，成為全球增速最快的地區之一。

光芯片市場的蓬勃發展，不僅得益于國產化進程的加速，也得益于數據中心建設的持續繁榮。隨著云計算、大數據等技術的廣泛應用，數據中心已經成為信息時代的核心基礎設施。而光芯片作為數據中心內部互聯及連接的核心器件，其需求量自然水漲船高。同時，新數據中心的不斷涌現，也為光芯片市場提供了更為廣闊的發展空間。

光芯片國產化率情況分析

光芯片作為半導體產業鏈上游的核心元器件，其在通信、工業、消費等眾多領域的應用不斷擴展。然而，各類光芯片的國產替代率存在明顯的分化，高端光芯片的國產替代率仍然較低。目前，國內相關企業僅在2.5G和10G光芯片領域實現了核心技術的掌握。

據統計，2021年2.5G及以下速率光芯片的國產化率約為90%，顯示出在較低速率光芯片領域，國內企業已經具備了較強的生產能力。然而，在10G光芯片領域，國產化率約為60%，意味著還有相當一部分性能要求較高、難度較大的10G光芯片仍需依賴進口。

更值得注意的是，2021年25G光芯片的國產化率約為20%，但25G以上光芯片的國產化率僅5%。這表明，在高速率光芯片領域，國內企業的技術實力和生產能力仍有待提升。目前，高端光芯片市場仍以海外光芯片廠商為主。

盡管國產光芯片在高速率領域面臨著挑戰，但這也為國內相關企業提供了巨大的機遇。隨著移動互聯網和云計算的快速發展，光芯片市場需求持續增長，尤其在高端市場。因此，國內企業需要加大技術研發和產品創新的投入，提升自身在高端光芯片領域的競爭力，逐步實現國產替代。

更多光芯片行業深度分析，請點擊查看中研普華產業研究院發布的《2023-2028年中國光芯片行業發展現狀及趨勢預測報告》。

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  2023-2028年中國光芯片行業發展現狀及趨勢預測報告

  光芯片是光模塊中完成光電信號轉換的直接芯片，按應用情況，分為激光器芯片和探測器芯片。激光器芯片發光基于激光的受激輻射原理，按發光類型，分為面發射與邊發射：面發射類型主要為VCSEL（垂F...

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