一、去膠及熱處理設(shè)備行業(yè)簡介

在半導(dǎo)體前段制造中，其流程包括清洗、氧化、涂膠、光刻、顯影、刻蝕、離子注入、去膠、薄膜沉積和CMP。

去膠即刻蝕或離子注入完成之后去除殘余光刻膠的過程。去膠工藝類似于刻蝕，操作對象是光刻膠。去膠工藝可分為濕法去膠和干法去膠，濕法去膠工藝使用溶劑對光刻膠等進(jìn)行溶解，干法去膠工藝可視為等離子刻蝕技術(shù)的延伸，主要通過等離子體和薄膜材料的化學(xué)反應(yīng)完成，目前主流工藝是干法去膠。

這里的去膠及熱處理設(shè)備主要是指在半導(dǎo)體前段制造，用于去膠和熱處理的相關(guān)設(shè)備。

在光刻工藝中，晶圓表面被均勻覆蓋光刻膠薄層后在光刻機(jī)中進(jìn)行曝光。在光刻機(jī)曝光下改變了化學(xué)性質(zhì)的光刻膠在顯影步驟中被清除，光刻圖形相應(yīng)完成至光刻膠層的轉(zhuǎn)移。光刻膠層上的圖形進(jìn)一步通過刻蝕、離子注入等工藝被轉(zhuǎn)移到晶圓表面后，通過去膠工藝將晶圓表面剩余光刻膠進(jìn)行完全清除，從而避免對后續(xù)集成電路芯片制造工藝效果的影響。干法去膠工藝可視為等離子刻蝕技術(shù)的延伸，主要通過等離子體和薄膜材料的化學(xué)反應(yīng)完成，是目前的主流工藝。

二、去膠工藝簡介

1、濕法去膠

濕法去膠是將帶有光刻膠的晶圓片浸泡在適當(dāng)?shù)挠袡C(jī)溶劑中溶解或者分解光刻膠，將晶圓表面的光刻膠去除。在濕法刻蝕前，光刻膠的表面都經(jīng)過了表面加固處理，這使得光刻膠在大部分去膠液中都不溶解或者很難完全溶解。這種情況下，在進(jìn)行濕法去膠前還需要用等離子體去掉最上面的一層膠。濕法去膠的主要缺點(diǎn)是去膠周期長，容易引進(jìn)無機(jī)雜質(zhì)，并且操作麻煩。

2、干法去膠

干法去膠主要是等離子去膠，通常采用等離子體氧化或分解等方式去除光刻膠。

等離子去膠機(jī)是廣泛應(yīng)用于去膠的設(shè)備。去膠機(jī)通過氧原子和光刻膠在等離子體環(huán)境中發(fā)生反應(yīng)來去除光刻膠。光刻膠的基本成分是碳?xì)渚酆衔铮踉涌梢院芸斓睾凸饪棠z反應(yīng)生成一氧化碳、二氧化碳和水等，這些生成物會被真空系統(tǒng)抽走。干法去膠既不需要化學(xué)試劑，也不需要加溫。

干法去膠工藝中必須關(guān)注的是由于離子轟擊對晶圓片表面器件的損傷。盡管目前干法去膠技術(shù)已經(jīng)得到了極大的改進(jìn)，比如采用順流去膠機(jī)可以大大減少等離子體對器件的損傷，但是隨著低介電材料在工業(yè)中的廣泛應(yīng)用，技術(shù)人員又面臨著新的挑戰(zhàn)，他們需要研發(fā)新的工藝和設(shè)備，使得在工藝生產(chǎn)中不會損傷非常敏感的材料，正是由于這些因素，濕法去膠工藝仍然被使用。

二、全球去膠及熱處理設(shè)備行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

干法去膠是去膠設(shè)備最廣泛的應(yīng)用，半導(dǎo)體行業(yè)飛速發(fā)展，集成電路帶動(dòng)去膠行業(yè)發(fā)展。數(shù)據(jù)顯示，2023年全球去膠及熱處理設(shè)備行業(yè)市場規(guī)模約30億美元。從全球去膠設(shè)備行業(yè)市場競爭格局來看，全球干法去膠設(shè)備領(lǐng)域的主要參與者包括屹唐半導(dǎo)體、比思科、日立高新、泛林半導(dǎo)體、泰仕半導(dǎo)體等，據(jù)統(tǒng)計(jì)，2023年，前五大廠商的市場份額合計(jì)超過90%，行業(yè)集中度高。

圖表：2021-2023年全球去膠及熱處理設(shè)備行業(yè)市場規(guī)模

《2024-2029年中國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)市場分析及發(fā)展前景預(yù)測報(bào)告》由中研普華產(chǎn)業(yè)研究院撰寫，本報(bào)告對該行業(yè)的供需狀況、發(fā)展現(xiàn)狀、行業(yè)發(fā)展變化等進(jìn)行了分析，重點(diǎn)分析了行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、如何面對行業(yè)的發(fā)展挑戰(zhàn)、行業(yè)的發(fā)展建議、行業(yè)競爭力，以及行業(yè)的投資分析和趨勢預(yù)測等等。報(bào)告還綜合了行業(yè)的整體發(fā)展動(dòng)態(tài)，對行業(yè)在產(chǎn)品方面提供了參考建議和具體解決辦法。