隨著技術的不斷發展,半導體二極管產業也發生著深刻的變革,新材料將成為產業新的發展重心。以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等材料為代表的新材料半導體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優異的性能而受到行業關注,有望成為新型的半導體材料。
隨著技術的不斷發展,半導體二極管產業也發生著深刻的變革,新材料將成為產業新的發展重心。以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等材料為代表的新材料半導體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優異的性能而受到行業關注,有望成為新型的半導體材料。
目前國產二極管行業市場集中度逐漸提高,企業資金充足,研發投入逐漸增加,特別是在 SiC領域,絕大多數大型二極管企業都有資金布局。再加上國產二極管封裝技術處于國際領先水平,封裝行業的高標準反過來又會促進半導體二極管芯片行業的快速發展,從而帶動整個行業的發展,向附加值較高的環節延伸。
規模優勢是半導體二極管行業企業控制成本提高自身競爭力的重要手段,因此不具備規模優勢的低端中小企業將難以持續投入資金進行研發、市場開拓,難以在行業內生存。近年來,中國半導體二極管產業加大整合力度,小企業逐步退出,市場集中度逐漸提高。
結合目前國外的功率二極管的發展情況,國內目前在基礎器件的研究和開發上已經到達了一個較高的研發階段,不過對于現在的功率二極管來說現有的的水平已經相對成熟。它有著非常可觀的發展前景,能夠讓我們在以后的生活里擁有更好的變壓器。功率二極管的發展歷史都是有目共睹的,已經逐漸的趨近于成熟。
如今中國半導體二極管封裝技術處于國際領先水平,封裝行業的高標準將反過來促使半導體二極管芯片行業的加速發展,進而帶動整個產業的發展,向附加值更高的環節延伸。
2021年,近我國二極管月度出口數量回升到近700億個/月。就國內市場規模(按銷量)而言,自2014年起,國內二極管月度出口數量逐漸超過進口數量,2015年底國內二極管月度出口量達到峰值,接近900億個/月。近幾年由于中美貿易摩擦嚴重影響了中國電子產品出口。2021年,我國二極管月度出口數量回升到近700億個/月。
隨著技術的不斷發展,半導體二極管產業也發生著深刻的變革,新材料將成為產業新的發展重心。以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等材料為代表的新材料半導體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優異的性能而受到行業關注,有望成為新型的半導體材料。寬緊帶半導體材料在實際應用中展示了良好的材料屬性,因為技術限制,制造成本較高,目前僅在高端應用場景中出現。隨著未來技術的成熟,寬禁帶半導體材料制造成本將進一步降低,逐漸成為未來半導體二極管行業主流產品材料。
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2022-2027年中國二極管行業發展趨勢及投資風險研究報告
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