射頻芯片指的就是將無線電信號通信轉換成一定的無線電信號波形,并通過天線諧振發送出去的一個電子元器件,它包括功率放大器、低噪聲放大器和天線開關。射頻芯片架構包括接收通道和發射通道兩大部分。
(1)射頻開關(RF Switch)用于實現射頻信號接收與發射的切換、不同頻段間的切換;
(2)雙工器(Duplexer(由兩個濾波器組成))用于將發射和接收信號通路進行隔離,從而保證接收和發射在共用同一天線的情況下能正常工作;
(3)濾波器(Filter)用于保留特定頻段內的信號,而將特定頻段外的信號濾除;
(4)低噪聲放大器(LNA)用于實現將接收通道的射頻信號放大;
(5)功率放大器(PA)用于實現將發射通道的射頻信號放大。
射頻前端模組是將射頻開關、低噪聲放大器、濾波器、雙工器、功率放大器等兩種或者兩種以上的分立器件集成為一個模組,從而提高集成度和性能,并使體積小型化。根據集成方式的不同,主集天線射頻鏈路可分為:FEMiD(集成射頻開關、濾波器和雙工器)、PAMiD(集成多模式多頻帶PA和FEMiD)、LPAMiD(LNA、集成多模式多頻帶PA和FEMiD)等;分集天線射頻鏈路可分為:DiFEM(集成射頻開關和濾波器)、LFEM(集成射頻開關、低噪聲放大器和濾波器)等。
據中研普華產業研究院發布的《2024-2029年中國射頻芯片行業市場深度調研與競爭預測報告》顯示,在射頻芯片領域,市場主要被海外巨頭所壟斷,海外的主要公司有Qorvo,skyworks和Broadcom;國內射頻芯片方面,沒有公司能夠獨立支撐IDM的運營模式,主要為Fabless設計類公司;國內企業通過設計、代工、封裝環節的協同,形成了“軟IDM”的運營模式。
射頻芯片設計方面,國內公司在5G芯片已經有所成績,具有一定的出貨能力。射頻芯片設計具有較高的門檻,具備射頻開發經驗后,可以加速后續高級品類射頻芯片的開發。目前,具備射頻芯片設計的公司有紫光展銳、唯捷創芯、中普微、中興通訊、雷柏科技、華虹設計、江蘇鉅芯、愛斯泰克等。
射頻芯片代工方面,臺灣已經成為全球最大的化合物半導體芯片代工廠,臺灣主要的代工廠有穩懋、宏捷科和寰宇,國內僅有三安光電和海威華芯開始涉足化合物半導體代工。三安光電是國內目前國內布局最為完善,具有GaAs HBT/pHEMT和GaNSBD/FET工藝布局,目前在于國內200多家企事業單位進行合作,有10多種芯片通過性能驗證,即將量產。海威華芯為海特高新控股的子公司,與中國電科29所合資,目前具有GaAs0.25umPHEMT工藝制程能力。
射頻芯片封裝方面,5G射頻芯片一方面頻率升高導致電路中連接線的對電路性能影響更大,封裝時需要減小信號連接線的長度;另一方面需要把功率放大器、低噪聲放大器、開關和濾波器封裝成為一個模塊,一方面減小體積另一方面方便下游終端廠商使用。為了減小射頻參數的寄生需要采用Flip-Chip、Fan-In和Fan-Out封裝技術。
Flip-Chip和Fan-In、Fan-Out工藝封裝時,不需要通過金絲鍵合線進行信號連接,減少了由于金絲鍵合線帶來的寄生電效應,提高芯片射頻性能;到5G時代,高性能的Flip-Chip/Fan-In/Fan-Out結合Sip封裝技術會是未來封裝的趨勢。
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2024-2029年中國射頻芯片行業市場深度調研與競爭預測報告
射頻芯片指的就是將無線電信號通信轉換成一定的無線電信號波形,并通過天線諧振發送出去的一個電子元器件,它包括功率放大器、低噪聲放大器和天線開關。射頻芯片架構包括接收通道和發射通道兩大...
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