電子束曝光系統(EBL)行業深度調研分析

• 2022年4月6日 WuYaNan來源：互聯網 1089 69
• 繁體

電子束曝光是由高能量電子束和光刻膠相互作用，使膠由長(短)鏈變成斷(長)鏈，實現曝光，相比于光刻機具有更高的分辨率，主要用于制作光刻掩模版、硅片直寫和納米科學技術研究。 電子束曝光主要有可變矩形電子束曝光系統、電子束投影光刻技術、大規模平行電子束成像

電子束曝光系統(EBL)行業深度調研分析

光刻技術是指在硅晶圓上印刷電路元件以生產電子芯片的主要技術。其中一項挑戰就是開發耐用的“光刻膠”，或者說是用作模板的材料，將電路圖案轉移到對器件有用的襯底(例如硅)中。電子束曝光是電子光學、機械、電子技術、計算機及半導體工藝集成，包含了檢測與定位、環境控制、超高真空、計算機控制、系統控制軟件、多功能圖形發生器、激光定位工件臺和電子光學柱8個子系統，其中電子光柱體、圖形發生器和激光工件臺是關鍵部件。

根據中研普華研究院《2022年全球與中國電子束曝光系統(EBL)市場深度研究報告》顯示：

電子束曝光(EBL)始于上世紀60年代，是在電子顯微鏡的基礎上發展起來的用于微電路研究和制造的曝光技術，是半導體微電子制造及納米科技的關鍵設備、基礎設備。電子束曝光是由高能量電子束和光刻膠相互作用，使膠由長(短)鏈變成斷(長)鏈，實現曝光，相比于光刻機具有更高的分辨率，主要用于制作光刻掩模版、硅片直寫和納米科學技術研究。 電子束曝光主要有可變矩形電子束曝光系統、電子束投影光刻技術、大規模平行電子束成像三種技術。

電子束曝光是用低功率密度的電子束照射電致抗蝕劑，經顯影后在抗蝕劑中產生圖形的一種微細加工技術。這種曝光方式分辨率高、掩膜版制作容易、工藝容限大，而且生產效率高，但由于電子束在光刻膠膜內的散射，使得圖案的曝光劑量會受到臨近圖案曝光劑量的影響(即臨近效應)，造成的結果是，顯影后，線寬有所變化或圖形畸變。

微電子工業依賴于光學光刻技術，但是它的分辨率受到照射光刻膠的光線波長的限制。然而，電子束光刻技術及其他納米光刻技術，例如極紫外光刻技術(EUVL)，可以突破這一限制，因為電子和高能紫外光的波長非常短。兩項技術之間的主要差別就是曝光過程。

離子束投影曝光系統的結構和工作原理與光學投影曝光的結構與原理類似，所不同的是曝光粒子是離子、光學系統采用離子光學系統，而掩模版則由可通過和吸收離子的材料制備。離子束曝光掩模版通常采用Si材料制成投射/散射式的二相掩模版技術。

電子束曝光系統產量及產值分析

近年來，中國電子束曝光系統的產量和產值都呈現出較快的增長態勢。中國電子束曝光系統的產量約為864臺，電子束曝光系統行業同比增長12.06%;產值約為6.82億美元，同比增長18.40%。

圖表：中國電子束曝光系統產量及產值情況

數據來源：中研普華產業研究院

據不完全統計，全球電子束曝光系統產能約為3564臺，產量約為3411臺，產能利用率約為95.71%。

為了提高電子器件的處理速度并降低其功耗，微電子工業持續不懈地努力爭取讓特征尺寸越變越小。在現今的手機中，晶體管通常是10納米(nm)的寬度，相當于50個硅原子的寬度，甚至更小。

想了解更多關于電子束曝光系統(EBL)行業專業數據分析，請點擊查看中研普華研究院出版的報告《2022年全球與中國電子束曝光系統(EBL)市場深度研究報告》。

熱點報告推薦：

2022-2026年中國電子束焊接機行業競爭格局及發展趨勢預測報告

• 相關深度報告REPORTS

  

  2022年全球與中國電子束曝光系統（EBL）市場深度研究報告

  在現代市場經濟活動中，信息已經是一種重要的經濟資源，信息資源的優先占有者勝，反之則處于劣勢。中國每年有近百萬家企業倒閉，對于企業經營而言，因為失誤而出局，極有可能意味著從此退出歷史...

  查看詳情

延伸閱讀

推薦閱讀

猜您喜歡