隨著近年來全球IGBT行業發展向好,其市場規模也隨之逐年遞增。據資料顯示,2021年全球IGBT市場規模約為70.9億美元,同比增長6.6%。2021年我國IGBT產量為2580萬只,同比增長27.7%;需求量為13200萬只,同比增長20%。
隨著近年來全球IGBT行業發展向好,其市場規模也隨之逐年遞增。據資料顯示,2021年全球IGBT市場規模約為70.9億美元,同比增長6.6%。2021年我國IGBT產量為2580萬只,同比增長27.7%;需求量為13200萬只,同比增長20%。
據中研普華產業研究院出版的《2022-2027年中國IGBT市場現狀分析及發展前景預測報告》統計分析顯示:
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由(Bipolar Junction Transistor,BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應管(Metal Oxide Semiconductor,MOS)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管(Giant Transistor,GTR)的低導通壓降兩方面的優點。
從20世紀80年代至今,IGBT芯片經歷了6代升級,從平面穿通型到溝槽型電場到截止型,芯片面積、工藝線寬、通態飽和壓降、關斷時間、功率損耗等各項指標經歷了不斷的優化,斷態電壓也從600V提高到了6500V以上。IGBT是誕生于20世紀80年代的功率半導體分立器件,進入工業應用時間較晚,雖然目前占整體功率半導體分立器件市場份額較小,但它代表了未來的發展方向,市場規模增長很快。其中IGBT7作為最新一代技術,其溝道密度更高,元胞間距也經過精心設計,并且優化了寄生電容參數,從而實現5kv/us下的最佳開關性能。
IGBT是能源變換與傳輸的核心器件,俗稱電力電子裝置的“CPU”,作為國家戰略性新興產業,在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。
作為電力電子重要大功率主流器件之一,IGBT已經廣泛應用于家用電器、交通運輸、電力工程、可再生能源和智能電網等領域。在工業應用方面,如交通控制、功率變換、工業電機、不間斷電源、風電與太陽能設備,以及用于自動控制的變頻器。在消費電子方面,IGBT用于家用電器、相機和手機。
當下IGBT國產化率還是很低的,2019年只有12%,據說2022年可能會突破30%,國產替代的空間是相當大的。國產廠商目前鉚足了勁擴產,憑借性價比、本土供應鏈便利性是很有可能趁機擴大市場份額的。從我國IGBT應用結構情況來看,工業控制、新能源汽車、新能源發電已然是IGBT主要的應用領域。其中新能源汽車占比約為31%,工業控制占比約為20%,新能源發電占比約為11%。
未來行業市場發展前景和投資機會在哪?欲了解更多關于行業具體詳情可以點擊查看中研普華產業研究院的報告《2022-2027年中國IGBT市場現狀分析及發展前景預測報告》。由中研普華研究院撰寫,本報告對我國IGBT行業的供需狀況、IGBT發展現狀、IGBT子行業發展變化等進行了分析,重點分析了IGBT行業的發展現狀、如何面對行業的發展挑戰、IGBT行業的發展建議、IGBT行業競爭力,以及行業的投資分析和趨勢預測等等。IGBT報告還綜合了行業的整體發展動態,對行業在產品方面提供了參考建議和具體解決辦法。
在形式上,IGBT報告以豐富的數據和圖表為主,突出文章的可讀性和可視性,避免套話和空話。報告附加了與行業相關的數據、IGBT政策法規目錄、主要企業信息及IGBT行業的大事記等,為投資者和業界人士提供了一幅生動的IGBT行業全景圖。
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2022-2027年中國IGBT市場現狀分析及發展前景預測報告
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由(Bipolar Junction Transistor,BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應管(Metal Oxide Semiconductor,MOS)組成的...
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