車載領域FLASH應用市場發展現狀 車載領域FLASH應用產能競爭格局分析

• 2022年1月5日 ZhouXun來源：互聯網 777 47
• 繁體

近一兩年的NOR Flash市場得到了飛速增長。該增速主要得益于汽車電子和物聯網、5G和智能手機及其周邊(如TWS耳機和可穿戴式設備)等需求的推動。小到汽車攝像頭大到高級駕駛輔助系統(ADAS)都對NOR Flash有大量需求。

近一兩年的NOR Flash市場得到了飛速增長。該增速主要得益于汽車電子和物聯網、5G和智能手機及其周邊(如TWS耳機和可穿戴式設備)等需求的推動。小到汽車攝像頭大到高級駕駛輔助系統(ADAS)都對NOR Flash有大量需求。到2021年僅在ADAS領域NOR Flash的市場空間就將達到6.7億美元。

根據中研普華產業研究院發布的《車載領域FLASH應用調研報告》顯示：

一、車載領域FLASH應用企業競爭格局

存儲芯片是應用面最廣、市場比例最高的集成電路基礎性產品之一。國外廠商憑借先發優勢以及在終端市場的品牌優勢，占據了大部分的市場份額。

NANDFlash的市場由三星、西數、鎧俠等6家企業壟斷。目前NANDFlash的發展方向是3D堆疊，國外先進企業均已紛紛開發出100層以上堆疊的NANDFlash。國產廠商長江存儲已宣布128層產品研發成功，與國外先進企業的差距越來越小，已成為存儲國產自主化的中堅力量。國內還有SLCNAND的設計企業，包括北京君正、兆易創新等。

二、車載領域FLASH應用市場發展現狀

三星電子、鎧俠、海力士、美光科技等專注于大容量的NANDFlash，目前SLCNAND其他供應商主要為中國臺灣和大陸廠商包括華邦電子、旺宏電子、兆易創新等企業，其中華邦電子和旺宏電子占據了較高的市場份額，隨著國產化需求的不斷提高，國內企業將迎來良好的發展契機。

SLCNAND的技術發展趨勢主要為提升產品制程以及提高產品的性能。在制程節點方面，SLCNAND領域成熟的工藝水平已經達到1xnm，采用此工藝水平的產品已經大量出貨，未來產品將進一步微縮制程。

在產品性能方面，SLCNAND最重要的性能指標是可靠性、功耗、數據傳輸速度等。目前SLCNAND擦寫次數達到10萬次，數據保存時間達到10年;在功耗方面待機電流達到10μA;在傳輸速度方面，當前SLCNAND芯片的數據傳輸速率約為104MHz。未來SLCNAND芯片主要在降低成本和功耗、提升數據讀取速度、提升可靠性等方面進行技術升級。

2022年，176層3D NAND或將成為市場競爭的主旋律。當前各大原廠的主力工藝在96層和128層，176層的產能占比約為5%，2022年，這個比重預計將進一步提升，預計到2022年底176層NAND的產出比重將超過25%。由于NAND Flash堆疊層數的技術推進，未來供應商仍將持續追求推進更高層數，以降低每GB的生產成本。因此，預期該產業的資本支出仍有增長空間，供應商同時開始研發2XX層產品技術。

三、車載領域FLASH應用產能競爭格局

近兩年來，三星和鎧俠在NAND Flash市場上的投資熱度不減，2020年三星位于中國西安二期1階段開始投產，新建的二期第二階段項目也在2021年下半年竣工，而平澤P2工廠投資8兆韓元新建NAND Flash產線也在2021下半年開始量產， 2021年三星產能增加明顯。

鎧俠與西部數據Fab6工廠在2021年持續提高NAND Flash Wafer產量，位于巖手縣北上市的新工廠K1已在2020年開始少量投產， 2021年Wafer產量有明顯增加。此外，鎧俠四日市存儲器生產基地北側正在新建Fab7工廠，第一階段建設計劃于2022年春季完成，還將在現有的K1工廠旁擴產K2廠區，計劃2022年春季完成，未來3年內，鎧俠與西部數據NAND Flash Wafer產能將呈持續增長之勢。

長江存儲國家存儲器項目總投資240億美元，分兩期建設3DNAND閃存晶圓廠。一期主要實現技術突破，并建成10萬片月產能。二期項目追加產能20萬片，建成后長江存儲總產能將達30萬片，預計到2023年，長江存儲在全球3DNANDFlash產能中的占比將提高到10.8%，根據規劃2030 年長江存儲計劃實現100萬片月產能，進一步提升自身全球市占率。

了解更多行業詳情，可以點擊查閱中研普華產業研究院的《車載領域FLASH應用調研報告》。

• 相關深度報告REPORTS

  

  2022年車載領域FLASH應用調研報告

  本研究咨詢報告由中研普華咨詢公司領銜撰寫，在大量周密的市場調研基礎上，主要依據了國家統計局、國家商務部、國家發改委、國家經濟信息中心、國務院發展研究中心、國家海關總署、全國商業信息...

  查看詳情

延伸閱讀

推薦閱讀

猜您喜歡