半導體行業代表企業

• 陳博 2023年11月3日 來源：中研網 1145 74
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美光科技于1978年在美國創立，作為全球最大的半導體存儲及影像產品制造商之一，其主營業務包括DRAM、NAND閃存、NOR閃存、CMOS圖像傳感器等，2022年美光科技在全球DRAM市場以25%市占率排名第三，在全球NAND市場以12%市占率排名第五。美光于1979年便完成了64KDRAM的設計

1、三星電子：全球最大存儲芯片供應商，市場份額長年穩居首位

三星電子作為全球領先的電子企業，業務涵蓋消費電子、IT和移動通信、設備解決方案等，尤其是在DRAM和NANDFlash半導體存儲領域，三星電子長期穩居全球第一的位置，據TrendForce數據，2022年三星在DRAM和NAND市場全球市占率分別達43%和33%，是全球存儲芯片行業最核心的供應商。三星電子成立于1969年，于1984年開發了256KbDRAM，1992年成功研發出世界首個64MbDRAM，1999年開發出首款1GbNAND閃存，2013年成功開發3DV-NAND技術，2018年量產LPDDR5DRAM，當前三星的10nm級工藝和極紫外光刻(EUV)技術已經開發出了大容量512GBDDR5內存模塊，同時，其第8代V-NAND內存層數已達236層，公司存儲技術處于全球領先位置。

在整個存儲芯片發展歷程中，三星電子通過多次逆向投資實現市場份額不斷提升。早在20世紀80年代，在DRAM市場低迷、價格迅速下跌時，英特爾DRAM業務虧損嚴重退出市場，日本企業也大幅縮減資本開支，而三星通過采用逆向投資，不斷擴大產能，促使其在20世紀90年代一舉成為全球第一大存儲芯片供應商;隨后在1993年全球半導體市場開始轉弱時，三星繼續采取逆周期投資策略投資建設8英寸DRAM產線;2008年，金融危機爆發導致DRAM價格崩盤，三星再次進行逆周期投資，大幅擴張存儲芯片業務，行業虧損也因此進一步加劇，導致后續幾年奇夢達和爾必達都相繼宣布破產，三星的龍頭地位得到持續夯實。

2、SK海力士：全球知名存儲龍頭，AI存儲領域先行者

SK海力士為全球領先的存儲龍頭企業，公司致力于生產DRAM、NANDFlash和CIS非存儲器為主的半導體產品，在韓國、中國無錫和重慶共設有四個生產基地，2022年SK海力士以28%市占率在全球DRAM市場排名第二，以13%市場份額在全球NANDFlash市場排名第四。1984年SK海力士首次成功試產16KbSRAM，1999年收購LG半導體，2004年成功研發NANDFlash產品，2013年首次研發全球首款TSV技術HBM，2019年成為業界首次成功研發出128層4DNAND的企業，現階段，SK海力士成功開發出全球首款12層堆疊的HBM3DRAM新產品，其DDR5采用了EUV光刻的1αnm技術，NAND方面，2022年公司成功研發238層4DNAND閃存，2023年展示了其最新300層3DNAND產品原型，預計將在2024-2025年期間上市。

FY23Q2營收環比大增，短期凈利潤承壓。SK海力士發布2023財年第二季度財報，FY23Q2公司實現營收7.31萬億韓元，同比-47%，環比+44%，營業利潤虧損2.88萬億韓元，凈利潤虧損2.99萬億韓元。分產品來看，DRAM收入占比達62%，位元增長率環比+30%，ASP實現環比個位數增長;NAND收入占比達30%，位元環比增長50%，ASP環比下降10%。

3、美光科技：全球最大存儲芯片供應商之一，研發技術優勢市場突出

美光科技于1978年在美國創立，作為全球最大的半導體存儲及影像產品制造商之一，其主營業務包括DRAM、NAND閃存、NOR閃存、CMOS圖像傳感器等，2022年美光科技在全球DRAM市場以25%市占率排名第三，在全球NAND市場以12%市占率排名第五。美光于1979年便完成了64KDRAM的設計，并于1981年推出首款64KDRAM產品，1984年推出世界上最小的256KDRAM，2021年美光推出業界首個1α節點DRAM，2022年公司開始向其客戶運送其1β節點DRAM產品樣品，率先進入1β階段，其EUV技術預計將于2024年使用。NAND方面，公司于2020年11月便實現全球首款176層3DNAND量產，2022年實現232層NAND產品出貨。

FY23Q3單季營收高于指引中值，毛利率環比改善。FY23Q3單季度美光科技實現營收37.5億美元，同比-57%，環比+1.6%，盡管公司依舊虧損19億美元，但虧損幅度進一步收窄，公司GAAP毛利率為-17.8%，Non-GAAP毛利率為-16%，均高于Q2原指引區間。拆分業務板塊來看，FY23Q3公司DRAM業務實現營收27億美元，同比-57%，環比-2%，位元出貨量環比+10%，ASP環比-10%;NAND業務實現營收10億美元，同比-56%，環比+14%，位元出貨量環比+30%，ASP環比下降15%。展望FY23Q4，公司預計營收將同比下滑44%-38%至37-41億美元，GAAP毛利率將環比改善至-15%至-10%區間，對應Non-GAAP毛利率為-13%至-8%。

國家網信辦對美光科技開展網絡安全審查。2023年3月，國家網信辦發布消息，為保障關鍵信息基礎設施供應鏈安全，防范產品問題隱患造成網絡安全風險，維護國家安全，對美光科技在華銷售的產品實施網絡安全審查。經審查發現，美光科技的產品存在較嚴重網絡安全隱患，對我國關鍵信息基礎設施供應鏈造成重大安全風險，按照相關規定，國內關鍵信息基礎設施運營者應停止采購美光科技的產品。本次審查事件將影響美光公司在中國市場的銷售，由于美國科技限制等原因，美光中國市場收入占總收入比例由2018年的58%下降至2022年的11%。我們認為，此次審查事件彰顯出國家對半導體安全可控以及信創工程的高度重視，將進一步推動國產存儲器產業鏈發展。

4、兆易創新：全球NORFlash龍頭，利基型DRAM拓展有序

兆易創新成立于2005年4月，總部設于北京，公司主營業務分為存儲器、微控制器和傳感器三大板塊，據公司官網顯示，公司在存儲領域公司是全球排名第一的無晶圓廠Flash供應商，在NORFlash市場占有率全球第三、中國大陸第一，累計出貨量近212億顆。

NORFlash全球領先，DRAM、NANDFlash拓展有序。公司NORFlash技術和市場處于全球領先位置，512Kb-2Gb全容量覆蓋市場不同需求，2022年工業和汽車領域穩步提升，車規產品收入同比增加80%，車規產品累計出貨量達1億顆，消費市場以中高端客戶為主;在NANDFlash方面，38nm和24nm兩種制程產品實現全面量產，容量覆蓋1-8Gb，相關產品已通過車規級認證;DRAM方面，公司積極切入DRAM利基市場，并已量產1X節點DDR4、DDR3L產品。

多重因素導致業績階段性承壓，研發投入持續增加鞏固領先地位。受全球經濟下行、地緣政治沖突等多重因素影響，2022年公司實現營收81億元，同比減少4.5%，其中，存儲芯片業務實現營收48億，占營收比例達59%，歸母凈利潤21億元，同比減少12%，盡管公司業績短期承壓，但其持續加大研發投入，2022年公司研發費用達9億元，同比增加11%，研發費用率達12%，公司技術人員占比約72%。

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