國家第三代半導體技術創新中心（湖南）揭牌 第三代半導體市場現狀

• 2021年11月22日 ZhouJiaLiang來源：互聯網 420 21
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國家第三代半導體技術創新中心(湖南)揭牌儀式在湖南長沙啟動。同日，中心多個共建單位簽約《國創湖南中心共建協議》，擬緊扣國家重大戰略和區域科技需求，聚焦共性技術和重大瓶頸，突破核心技術，支撐第三代半導體產業向中高端邁進。

國家第三代半導體技術創新中心(湖南)揭牌

近日，國家第三代半導體技術創新中心(湖南)揭牌儀式在湖南長沙啟動。同日，中心多個共建單位簽約《國創湖南中心共建協議》，擬緊扣國家重大戰略和區域科技需求，聚焦共性技術和重大瓶頸，突破核心技術，支撐第三代半導體產業向中高端邁進。按照計劃，到2025年，國創中心(湖南)擬帶動湖南第三代半導體產業年產值100億元，建立健全國產裝備設計、制造、驗證成套標準體系。

據介紹，第三代半導體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射能力，更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。GaN是一種III/V直接帶隙半導體，通常用于微波射頻、電力電子和光電子三大領域。具體而言，微波射頻方向包含了5G通信、雷達預警、衛星通訊等應用;電力電子方向包括了智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費電子等應用;光電子方向包括了LED、激光器、光電探測器等應用。

據中研產業研究院報告《2020-2025年中國第三代半導體行業發展現狀分析與投資前景預測研究報告》分析

碳化硅是第三代半導體材料，也是典型的寬禁帶半導體材料。先進半導體材料是全球半導體產業發展新的戰略高地。目前正在快速發展的第三代半導體材料碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鎵(Ga2O3)、氮化鋁(AlN)、金剛石(C)等，主要面向新一代電力電子、微波射頻和光電子應用，在新一代移動通信、新能源并網、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子、新一代顯示等領域有廣闊的應用前景，成為全球半導體產業發展新的戰略高地。

第三代半導體市場現狀

經過近10年的發展，我國基本建立了以SiC和GaN為代表的第三代半導體材料、工藝和裝備產業體系。該類材料緊密圍繞光電子、新能源、5G等熱點應用，在未來5年內將迎來產業化發展的重要機遇。

業界普遍認為，基于碳化硅材料本身的優良特性，以其制成的功率器件在開關頻率、耐壓等級、高溫特性等方面具有突出優勢，在新能源汽車、電力、工業等領域具有廣闊的應用前景。尤其是2017年以來，隨著碳化硅主電驅模塊在特斯拉Model 3上得到成功應用，加速推動了行業的產能擴張、良率提升與成本下降，碳化硅器件在新能源汽車、光伏、工業電源等多個領域的應用滲透開始提速。

同時，國家“雙碳戰略”的提出，又進一步加快碳化硅半導體領域的發展。華為《數字能源2030》白皮書指出，隨著碳化硅材料和工藝的進一步成熟，諸如SiC MOSFET這類高效功率半導體器件在軌道交通、工業電源、民用家電等領域的滲透率將快速提升，預計2030年，光伏逆變器的碳化硅滲透率將從目前2%增長到70%以上，在充電基礎設施、電動汽車領域滲透率會超過80%，同時在通信電源、服務器電源領域也將全面推廣應用。

因三代半導體投資規模相對較低，產業鏈上游的材料及生產環節不再集中于一二線城市，而是全國遍地開花。數據顯示，2018-2020年，我國僅SiC項目政府投資達到32個，計劃投資金額超過700億。

在5G信息技術時代，第三代半導體迎來新發展機遇，新基建的實施助推第三代半導體產業發展進入黃金窗口期，呈現一派發展好勢頭，有望逐步實現自主可控、安全可靠的第三代半導體產業體系，與第一代、第二代半導體優勢互補、協同支撐新一代信息技術創新發展，支撐中國新時期社會經濟的高質量發展。

想要了解更多第三代半導體行業的發展前景，請查閱《2020-2025年中國第三代半導體行業發展現狀分析與投資前景預測研究報告》。

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