全球光刻機市場幾乎被荷蘭的阿斯麥(ASML)、日本的佳能和尼康壟斷,其中ASML更是獨占高端極紫外光刻機(EUV)的市場份額。隨著這些國家對中國半導體制造設備實施出口限制,中國獲取高端光刻機的難度將進一步加大。
繼美國與荷蘭之后,7月23日,日本限制半導體制造設備出口的新規也正式生效,這給我國半導體產業最尖端的芯片制造領域帶來巨大壓力。
全球光刻機市場幾乎被荷蘭的阿斯麥(ASML)、日本的佳能和尼康壟斷,其中ASML更是獨占高端極紫外光刻機(EUV)的市場份額。隨著這些國家對中國半導體制造設備實施出口限制,中國獲取高端光刻機的難度將進一步加大。
光刻機行業概述
光刻機是一種利用光學原理將電路圖案轉移到硅片上的設備,相當于芯片制造的“打印機”,決定著芯片的工藝水平和性能,是芯片制造中的關鍵核心設備,也是半導體產業核心中的核心。
光刻機按照有無掩模,可細分為有掩模光刻機和無掩模光刻機。無掩模光刻機分為電子束/激光/離子束直寫光刻機,有掩模光刻機分為接近/接觸/投影光刻機。
光刻機作為集成電路制造中最關鍵的設備,對芯片制作工藝有著決定性的影響,被譽為“超精密制造技術皇冠上的明珠”,制造和維護均需要高度的光學和電子工業基礎。而光刻技術則是制造集成電路的關鍵技術,是通過紫外光、準分子激光、電子束等廣義光源和與其敏感的光刻膠之間的相互作用在基板上形成微納結構圖形的技術。
我們的報告《2023-2028年光刻機市場發展現狀調查及供需格局分析預測報告》包含大量的數據、深入分析、專業方法和價值洞察,可以幫助您更好地了解行業的趨勢、風險和機遇。在未來的競爭中擁有正確的洞察力,就有可能在適當的時間和地點獲得領先優勢。
從產業鏈來看,光刻機上游產業鏈主要包括測量臺與曝光臺(雙工件臺)、激光器、光速矯正器、能量控制器、光速形狀設置、遮光器、能量探測器、掩膜版、掩膜臺、物鏡、內部封閉框架和減震器等11個模塊的組件。上游最為核心設備分別為光學鏡頭、光學光源和雙工件臺。光刻機行業的下游主要是圓晶代工企業,下游主要決定了光刻機市場的需求。
光刻機作為半導體產業鏈中技術要求最高的設備,市場高度集中背景,市場主流產品基本來自前三大企業,數據顯示,隨著半導體和信息通訊等產業穩步擴張,全球光刻機銷量呈現穩步增長態勢,2021年top3企業銷量達478臺,同比2020年增長65臺。整體來看,集成電路、面板和LED光刻機整體出貨約650臺,其中集成電路約500臺左右。
就細分產品類型而言,EUV作為唯一能夠制備7nm及以下工藝的光刻機,采用EUV光源,使用的光波波長只有13.5nm, NA (數值孔徑)為0.33, 目前全球只有ASML能生產EUV光刻機。 隨著高端芯片持續上升,EUV銷量穩步擴張,是光刻機市場規模增長的主要動力。
據中研產業研究院《2023-2028年光刻機市場發展現狀調查及供需格局分析預測報告》分析:
目前最先進的EUV光刻機,有超過45萬個零件,零件數量是一輛F1賽車的20倍以上,制造難度超乎想象。即便是處于世界EUV光刻機制造壟斷地位的ASML,大約也只生產了其中的15%,另外85%的零件需要從全球的供應鏈整合而來。因此,推進我國光刻機關鍵技術研發,提升半導體設備國產化率,是當下乃至未來相當長一段時間內,既重要緊迫,同時又有很高難度的攻堅任務。
我國可量產90納米以上的光刻機,與國際先進水平雖有差距,但也能滿足國內市場部分需要。這表明,我國在光刻機領域具有一定的技術積累和人才儲備,有望逐步縮小與國際先進水平的差距。
光刻機產業鏈上有所突破的中國企業
華卓精科在光刻機雙工件臺技術上的突破,也為中國自主研發65nm至28nm 雙工件干臺式及浸沒式光刻機奠定了基礎,成為生產國產光刻機的上海微電子的唯一工件臺提供商。建立初衷在于將清華大學在"極大規模集成電路制造裝備及成套工藝"國家科技重大專項中積累的尖端技術落地產業化。
在光源方面,科益虹源公司自主研發設計生產的首臺高能準分子激光器,以高質量和低成本的優勢,填補中國在準分子激光技術領域的空白,打破國外廠家對該技術產品長期市場壟斷局面,其已完成了6khz、60w主流ArF光刻機光源制造,也是上海微電子即將交付的28nm光刻機的光源制造商。
在光學鏡頭方面,奧普光學提供的鏡頭可以做到90nm,但是與卡爾蔡司、Nikon等公司還有非常大的差距。
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2023-2028年光刻機市場發展現狀調查及供需格局分析預測報告
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