中國IGBT市場現狀分析及發展前景預測2023

• 陳觀秋 2023年5月18日 來源：百度 1338 88
• 繁體

IGBT作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。由于經濟的飛速發展，我國能源需求量大幅上升，在節能減排政策的背景下，新能源發電、新能源汽車等節能效果明顯的產品近年來市場規模不斷擴大。

作為電力電子技術最具代表性的產品，IGBT是工業控制及自動化領域的核心元器件，能夠根據工業裝置中的信號指令來調節電路中的電壓、電流、頻率、相位等，以實現精準調控的目的，應用場景包括變頻器、逆變焊機、電磁感應加熱、工業電源等。IGBT作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。由于經濟的飛速發展，我國能源需求量大幅上升，在節能減排政策的背景下，新能源發電、新能源汽車等節能效果明顯的產品近年來市場規模不斷擴大。

如果企業想抓住機遇，并在合適的時間和地點發揮最佳作用，那么我們推薦您閱讀我們的報告《2022-2027年中國IGBT市場現狀分析及發展前景預測報告》。我們的報告包含大量的數據、深入分析、專業方法和價值洞察，可以幫助您更好地了解行業的趨勢、風險和機遇。在未來的競爭中擁有正確的洞察力，就有可能在適當的時間和地點獲得領先優勢。

IGBT簡述

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應管組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管的低導通壓降兩方面的優點。

從20世紀80年代至今，IGBT芯片經歷了6代升級，從平面穿通型到溝槽型電場到截止型，芯片面積、工藝線寬、通態飽和壓降、關斷時間、功率損耗等各項指標經歷了不斷的優化，斷態電壓也從600V提高到了6500V以上。

IGBT是在電器設備中實現電能轉換、傳輸和控制的核心器件，可以說是電力電子裝備的“心臟”，高效節能減排的主力軍。

IGBT市場現狀分析

作為電力電子技術最具代表性的產品，IGBT是工業控制及自動化領域的核心元器件，能夠根據工業裝置中的信號指令來調節電路中的電壓、電流、頻率、相位等，以實現精準調控的目的，應用場景包括變頻器、逆變焊機、電磁感應加熱、工業電源等。

據中研產業研究院《2022-2027年中國IGBT市場現狀分析及發展前景預測報告》分析：

IGBT作為國家戰略性新興產業，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。由于經濟的飛速發展，我國能源需求量大幅上升，在節能減排政策的背景下，新能源發電、新能源汽車等節能效果明顯的產品近年來市場規模不斷擴大。

就應用場景而言，IGBT可分為消費類、工業級和車規級，車規級IGBT相對于工業級IGBT，對諸多耐受指標要求更為嚴格。與工業IGBT模塊相比，車規級IGBT設計需保證開通關斷、抗短路和導通壓降三者平衡，參數優化非常特殊復車規級IGBT芯片通常在大電流、高電壓、高頻率的環境下工作，芯片設計需保證開通關斷、抗短路能力和導通壓降(控制熱量)三者處于均衡狀態，芯片設計與參數調整優化非常特殊復雜，技術壁壘更高。

各電壓等級IGBT應用領域各不相同：

1、低壓領域：IGBT主要應用于變頻白色家電、新能源汽車、新能源充電樁等領域，隨著變頻家電和新能源汽車滲透率的逐步提升，帶動相關IGBT需求持續上升。

2、中壓領域：隨著信息產業與高端制造業的快速發展，新能源并網和電網工程建設工程逐步加強，我國工業逆變焊機、逆變頻器市場持續升溫，USB電源與新能源發電市場穩步增長。

3、高壓領域：主要應用于軌道交通和電網傳輸領域，二者發展規模與投資規模持續增長。

IGBT行業發展前景

IGBT發展不斷超預期，國內廠商迎來快速發展的黃金時期。目前，全球IGBT領域，不管是芯片、單管還是模塊，英飛凌、三菱、富士電機都占據了50%以上的市場份額。同時，在3300V以上的高端IGBT領域，海外廠商的IGBT產品的市場優勢地位仍十分明顯。中國已經成為全球最大的IGBT市場，但國產化率低，國產替代空間大。

國產廠商目前鉚足了勁擴產，憑借性價比、本土供應鏈便利性是很有可能趁機擴大市場份額的。從我國IGBT應用結構情況來看，工業控制、新能源汽車、新能源發電已然是IGBT主要的應用領域。其中新能源汽車占比約為31%，工業控制占比約為20%，新能源發電占比約為11%。

想要了解更多IGBT行業詳情分析，可以點擊查看中研普華研究報告《2022-2027年中國IGBT市場現狀分析及發展前景預測報告》。

• 相關深度報告REPORTS

  

  2022-2027年中國IGBT市場現狀分析及發展前景預測報告

  IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）組成的...

  查看詳情

延伸閱讀

推薦閱讀

猜您喜歡