半導體分立器件行業現狀 進口替代效應將顯著增加

• 2022年6月17日 ZhouJiaLiang來源：互聯網 602 34
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當前半導體分立器件產業正在發生深刻的變革，其中新材料成為產業新的發展重心。以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等材料為代表的新材料半導體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優異的性能而受到行業關注，有望成為新型的半導體材料。

半導體分立器件行業現狀

半導體分立器件是電力電子產品的基礎之一，也是構成電力電子變化裝置的核心器件之一，主要用于電力電子設備的整流、穩壓、開關、混頻等，具有應用范圍廣、用量大等特點，在消費電子、汽車電子、電子儀器儀表、工業及自動控制、計算機及周邊設備、網絡通訊等眾多國民經濟領域均有廣泛的應用。

當前半導體分立器件產業正在發生深刻的變革，其中新材料成為產業新的發展重心。以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等材料為代表的新材料半導體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優異的性能而受到行業關注，有望成為新型的半導體材料。SiC、GaN等半導體材料屬于新興領域，具有極強的應用戰略性和前瞻性。目前美歐、日韓及臺灣等地區已經實現SiC、GaN等新材料半導體功率器件的量產。新材料半導體的涌現將不斷提升半導體器件的性能，使得產品能夠滿足更多應用領域的需求。

對國內市場而言，功率二極管、功率三極管、晶閘管等分立器件產品大部分已實現國產化，而MOSFET、IGBT等分立器件產品，尤其是高功率器件，由于其技術及工藝的先進性，還較大程度上依賴進口，未來進口替代空間巨大。目前，國內行業內企業通過多年的技術和資本積累，依托國家產業政策的重點扶持，也已開始布局新型半導體材料領域，并取得了一定成效。

據中研產業研究院報告《半導體分立器件項目商業計劃書(2021年版)》分析

國內現狀就是低端產品居多，高端產品還是被國際玩家壟斷，揚杰科技歷來非常注重研發，研發人員、研發費用逐年提高，戰略布局Mosfet及第三代半導體。Mosfet是高端半導體分立器件的一種，利潤率明顯高于目前公司的產品。第三代半導體主要是以碳化硅 (SiC)、氮化鎵(GaN)為代表，即寬禁帶半導體材料。第三代半導體材料具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優點，可以滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求，是半導體材料領域最有前景的材料。

進口替代效應將顯著增加

近年來，我國半導體分立器件行業的產銷規模不斷擴大，對國外產品的進口替代效應不斷凸顯。未來，隨著國內半導體分立器件行業逐步突破高端產品的技術瓶頸，國內優秀企業將憑借地緣、技術和成本等方面的優勢獲得更多的發展機會，我國半導體分立器件對進口的依賴將會進一步減弱，進口替代效應將顯著增加。軍工半導體分立器件產業長期推行國產化和自主可控，經過長期積累，已形成較為成熟的生產工藝和產業體系，國產化程度較高，尤其在高可靠產品領域具有明顯優勢，民用市場為半導體分立器件軍民兩用技術提供了廣闊的發空間，相關軍工企業有望充分受益于民用市場的拓展。

想要了解更多半導體分立器件行業的發展前景，請查閱《半導體分立器件項目商業計劃書(2021年版)》。

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