動態隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一種半導體存儲器,主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。由于在現實中晶體管會有漏電電流的現象,導致電容上所存儲的電荷數量并不足以正確的判別數據,而導致
動態隨機存取存儲器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一種半導體存儲器,主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。由于在現實中晶體管會有漏電電流的現象,導致電容上所存儲的電荷數量并不足以正確的判別數據,而導致數據毀損。因此對于DRAM來說,周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性,因此被稱為“動態”存儲器。相對來說,靜態存儲器(SRAM)只要存入數據后,縱使不刷新也不會丟失記憶。
與SRAM相比,DRAM的優勢在于結構簡單——每一個比特的數據都只需一個電容跟一個晶體管來處理,相比之下在SRAM上一個比特通常需要六個晶體管。正因這緣故,DRAM擁有非常高的密度,單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的,DRAM也有訪問速度較慢,耗電量較大的缺點。與大部分的隨機存取存儲器(RAM)一樣,由于存在DRAM中的數據會在電力切斷以后很快消失,因此它屬于一種易失性存儲器設備。
據CFM閃存市場數據顯示,2023年第三季度全球NAND Flash市場規模環比7.5%至98.12億美元,DRAM市場規模環比增長22.4%至130.63億美元。整體來看,繼第二季度環比增長9%之后,第三季度全球存儲市場規模再度環比增長16%至228.75億美元,同比跌幅進一步縮小到-28%。其中,SK海力士再次超過鎧俠在NAND Flash市場份額排名中達到第二位,并憑借在服務器市場的出色表現在DRAM市場中縮小了與三星的市場份額差距。
DRAM通常以一個電容和一個晶體管為一個單元排成二維矩陣。基本的操作機制分為讀(Read)和寫(Write),讀的時候先讓Bitline(BL)先充電到操作電壓的一半,然后再把晶體管打開讓BL和電容產生電荷共享的現象,若內部存儲的值為1,則BL的電壓會被電荷共享抬高到高于操作電壓的一半,反之,若內部存儲的值為0,則會把BL的電壓拉低到低于操作電壓的一半,得到了BL的電壓后,在經過放大器來判別出內部的值為0和1。寫的時候會把晶體管打開,若要寫1時則把BL電壓抬高到操作電壓使電容上存儲著操作電壓,若要寫0時則把BL降低到0伏特使電容內部沒有電荷。
DRAM存儲器上游產業主要為半導體芯片,集成電路作為半導體產業的核心,因為其技術的復雜性,產業結構具備高度專業化的特征,可細分為IC設計業、芯片制造業及IC封裝測試業三個子產業群。DRAM存儲器下游產業主要為移動終端(PC、智能手機、平板電腦以及服務器等產品)、可穿戴設備等。
隨機存取存儲器,也叫主存,是與CPU直接交換數據的內部存儲器。它可以隨時讀寫(刷新時除外,見下文),而且速度很快,通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲媒介。主存(Main memory)即電腦內部最主要的存儲器,用來加載各式各樣的程序與數據以供CPU直接運行與運用。由于DRAM的性價比很高,且擴展性也不錯,是現今一般電腦主存的最主要部分。2014年生產電腦所用的主存主要是DDR3 SDRAM,而2016年開始DDR4 SDRAM逐漸普及化,筆電廠商如華碩及宏碁開始在筆電以DDR4存儲器取代DDR3L。
根據中研普華產業研究院發布的《2022-2027年中國DRAM行業市場深度調研及投資策略預測報告》顯示:
就全球存儲芯片定位而言,2021年DRAM占比全球儲存市場61%的市場份額。主要原因是DRAM屬于易失存儲器,多用與cpu緩存和圖像系統的幀緩存區,起到臨時儲存數據的功能,如遇斷電則數據則會丟失信息,更大的緩存空間代表同時可處理和儲存的數據更多,屬與電子設備必須的組成部分。全球DRAM或Flash市場價格分為合約價和現貨價,價格走勢是跟蹤景氣變化的關鍵指標,合約價:ContractPrice,大客戶,價格按照協議合約走,定期議價,不受期間價格波動影響,占比約90%。
就全球DRAM下游需求結構而言,2021年第一大市場智能手機占比39%,具體而言,2021年全球智能手機出貨量達13.5億臺,同比2020年增長5.7%;第二大市場服務器占比34%,具體而言,出貨量和銷售額分別為1353.9萬臺和992.2億美元,同比2020年增長6.9%和6.4%;PC端整體出貨量同比2020年增長14.8%,但受整體核心配件GPU價格高漲影響,DIY需求和辦公需求萎縮,整體市占率下降,僅占比13%。
就全球DRAM市場規模變動而言,受下游智能手機和服務器等消費電子不斷擴容、IoT為代表的消費升級以及大數據云計算技術不斷突破的背景下,存儲器市場快速發展,同時因為硅價原材料高漲帶動價格上升,產業表現為明顯的量價齊升趨勢,數據顯示,2021年全球DRAM市場規模達949億美元,同比2020年增長41.6%。
數據顯示,截止2021年年底,全球DRAM產能約為150萬片/月,其中國產企業合肥長鑫已達到6萬片/月8 GB DDR4(19nm),占比全球主要DRAM產能的4%。預計隨著2022年17nm DDR5投產,整體國產化水平將進一步推進。DRAM市場呈現明顯的新型DRAM產品逐漸取代老款DRAM趨勢,老款DRAM逐漸被淘汰或轉為利基型DRAM。第一代DDR已經停產,DDR2在2010年占比高達30%,而這一比例到2020年僅剩1%,僅應用在利基市場。目前DDR型DRAM市場上,速度更快的DDR4占主要比例。2020年占比達到78%左右,在DDR5未全面量產下有望進一步提高比例。
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2022-2027年中國DRAM行業市場深度調研及投資策略預測報告
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